[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

背景技术

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。

LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光来发送/接收信号的半导体器件。LED还被用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及发光装置的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供发光器件和发光器件封装，其能够防止化合物半导体层由于基板分离工艺导致的损坏。

实施例提供发光器件和具有发光器件的发光器件封装，其中第一导电类型半导体层具有台阶结构。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，其中该第一导电类型半导体层包括具有低于其第一顶表面的第二顶表面的台阶结构；绝缘层，该绝缘层被布置在发光结构的侧表面和第一导电类型半导体层的第二顶表面上；电极，该电极与第一导电类型半导体层电气地连接；电极层，其在第二导电类型半导体层下面；以及保护层，该保护层被布置在第二导电类型半导体层的下表面的外围部分上。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括具有台阶结构的第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，该绝缘层被布置在发光结构的外围部分上；电极，该电极与第一导电类型半导体层电气地连接；包括欧姆层的电极层，其在第二导电类型半导体层的下面；以及保护层，该保护层形成在第二导电类型半导体层的下表面周围，其中该第一导电类型半导体层的台阶结构包括在第一侧表面和电极之间的第一凹陷部分、在第二侧表面和电极之间的第二凹陷部分、以及被连接到第一凹陷部分和第二凹陷部分的第三凹陷部分。

根据实施例，发光器件封装包括：主体；主体上的多个引线电极；发光器件，该发光器件被提供在引线电极中的至少一个上，并且与引线电极电气地连接；以及发光器件上的成型构件。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，其中该第一导电类型半导体层包括具有低于其第一顶表面的第二顶表面的台阶结构；绝缘层，该绝缘层被布置在发光结构的侧表面和第一导电类型半导体层的第二顶表面上；电极，该电极与第一导电类型半导体层电气地连接；电极层，其在第二导电类型半导体层的下面；以及保护层，该保护层被布置在第二导电类型半导体层的下表面的外围部分上。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图；

图2是图1的平面图；

图3至图13是示出图1的发光器件的截面图；

图14是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图；

图15是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图；

图16和图17是示出根据第四实施例的发光器件的制造方法的截面图。

图18和图19是示出根据第五实施例的发光器件的制造方法的截面图。

图20是示出根据实施例的发光器件封装的侧截面图；

图21是设置有图20的发光器件封装的显示设备的分解透视图；

图22是示出设置有图20的发光器件封装的显示设备的另一示例的示意性截面图；以及

图23是设置有图20的发光器件封装的照明设备的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。

在下文中，将会参考附图描述实施例。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的侧截面图，并且图2是图1的平面图。