[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层，其中所述第一导电类型半导体层包括具有低于其第一顶表面的第二顶表面的台阶结构；

绝缘层，所述绝缘层被布置在所述发光结构的侧表面和所述第一导电类型半导体层的第二顶表面上；

电极，所述电极与所述第一导电类型半导体层电气地连接；

电极层，其在所述第二导电类型半导体层下面；以及

保护层，所述保护层被布置在所述第二导电类型半导体层的下表面的外围部分上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述台阶结构被布置到所述第一导电类型半导体层的边缘部分。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二顶表面具有从所述第一导电类型半导体层的第一顶表面开始的大约至大约的深度。

4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括位于所述第一导电类型半导体层的第二顶表面和所述绝缘层之间的金属氮化物层或者金属氧化物层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层的台阶结构具有连续的回路形状。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其中在所述第一导电类型半导体层的第二顶表面之间的间隔小于被布置在所述第二导电类型半导体层的两侧之间的保护层之间的间隔。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述保护层包括从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、以及TiO₂组成的组中选择的至少一个，并且形成为单层结构或者多层结构。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极层包括欧姆层和反射层，并且所述电极层被布置为在其下部分处具有粘附层和导电支撑构件。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述保护层的外部向外延伸超出所述第二导电类型半导体层的下表面，并且所述电极层部分地覆盖所述保护层的下部或者完全地覆盖所述保护层的下部。

10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层被插入在所述第二导电类型半导体层和所述电极层之间，其中所述电极被布置在所述第一导电类型半导体层上，并且所述电流阻挡层在所述发光结构的厚度方向上重叠所述电极。