[发明专利]等离子体处理系统中的选择性控制

权利要求书

1.一种在等离子体处理系统中选择性蚀刻基片的方法，所述等离子体处理系统包括上部电极和下部电极，所述基片包括由第一材料形成的第一层和和由第二材料形成的第二层，所述第一材料具有用于蚀刻的第一离子能量阈值，所述第二材料具有用于蚀刻的第二离子能量阈值，所述第二离子能量阈值大于所述第一离子能量阈值，所述方法包含：

将所述下部电极耦合于所述基片；

向所述下部电极提供偏压RF信号以产生离子能量分布；以及

将所述偏压RF信号的偏压频率配置为：

所述离子能量分布的平均离子能量值在所述第一离子能量阈值和所述第二离子能量阈值之间，以及

所述第一离子能量阈值和所述离子能量分布的所述平均离子能量值之间的第一差大于所述第二离子能量阈值和所述离子能量分布的所述平均离子能量值之间的第二差。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包含增加所述偏压频率以减小所述离子能量分布的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包含调整所述偏压RF信号的偏压RF功率以移动所述离子能量分布的所述平均离子能量值。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包含增加所述偏压RF信号的偏压RF功率以增加所述第一层的蚀刻率，同时保持所述离子能量分布的所述平均离子能量值在所述第一离子能量阈值和所述第二离子能量阈值之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压频率在45MHz和75MHz之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压频率在30MHz和80MHz之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压频率小于100MHz。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压频率大于2MHz。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压频率是60MHz。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压RF信号的偏压RF功率是300W。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包含施加第二RF信号以进行聚合物沉积，所述第二RF信号具有不同于所述偏压RF信号的所述偏压频率的第二频率。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料代表阻挡材料，而所述第二材料代表介电材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料代表介电材料。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在可控环境中用各种配方执行多次经验测试蚀刻以选择所述偏压频率。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述各种配方至少包括所述偏压RF信号的各种偏压RF功率设定。

16.根据权利要求14所述的方法，进一步包含通过所述经验测试蚀刻至少选择所述偏压RF信号的偏压RF功率。

17.根据权利要求14所述的方法，进一步包含通过所述经验测试蚀刻至少选择用于蚀刻所述基片的气流速度。

18.根据权利要求14所述的方法，进一步包含通过所述经验测试蚀刻至少选择用于蚀刻所述基片的蚀刻剂成分。

19.根据权利要求14所述的方法，进一步包含通过所述经验测试蚀刻至少选择用于蚀刻所述基片的室压。

20.根据权利要求14所述的方法，进一步包含通过所述经验测试蚀刻至少选择用于蚀刻所述基片的氦冷却压力。