[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

背景技术

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。

LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光来发送/接收信号的半导体器件。LED还被用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及发光装置的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供在沟道区中具有光提取结构的发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

实施例提供包括被设置在发光结构周围并且包括化合物半导体的光提取结构和保护层的发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

实施例提供能够在化合物半导体层的沟道区域中提高光提取效率的发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

实施例提供能够在化合物半导体层的沟道区域中提高在金属和非金属之间的粘附强度的发光器件，和具有发光器件的发光器件封装。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一导电类型半导体层上的电极；第二导电类型半导体层下的反射层；第二导电类型半导体层和反射层的外围部分处的保护层；以及保护层上的包括化合物半导体的光提取结构。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一导电类型半导体层上的电极；第二导电类型半导体层下面的反射层；第二导电类型半导体层和反射层的外围部分处的保护层；光提取结构，该光提取结构被布置在保护层上并且具有氮化物基半导体的折射率；以及在反射层和保护层之间的第一凹凸结构。

根据实施例，发光器件封装包括：主体；主体上的多个引线电极；发光器件，该发光器件被设置在引线电极中的至少一个处，并且被电气地连接到引线电极；以及成型构件，该成型构件被用于成型发光器件。该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一导电类型半导体层上的电极；第二导电类型半导体层下的反射层；第二导电类型半导体层和反射层的外围部分处的保护层；以及保护层上的包括化合物半导体的光提取结构。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图。

图2至图11是示出制造图1的发光器件的方法的视图。

图12是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图。

图13是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图。

图14是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图。

图15是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图。

图16是示出根据第六实施例的发光器件的侧截面图。

图17是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图。

图18是示出根据第八实施例的发光器件的侧截面图。

图19是示出根据第九实施例的发光器件的侧截面图。

图20是示出根据第十实施例的发光器件封装的侧截面图。

图21是被提供有发光器件的显示设备的分解透视图。

图22是示出被提供有发光器件的显示设备的另一示例的示意性截面图。

图23是被提供有发光器件的照明设备的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。

在下文中，将会参考附图描述实施例。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

图1是根据第一实施例的发光器件100的侧截面图。