[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

所述第一导电类型半导体层上的电极；

所述第二导电类型半导体层下的反射层；

所述第二导电类型半导体层的下表面的外围部分处的保护层；以及

所述保护层上的包括化合物半导体的光提取结构。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述保护层由透明层形成，并且具有接触所述第二导电类型半导体层的下表面的外围部分的内部。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构包括与所述第二导电类型半导体层的半导体材料相同的半导体材料并且被布置在所述保护层的顶表面的外围部分处。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层包括欧姆层，所述欧姆层接触所述第二导电类型半导体层的下表面。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述欧姆层包括导电氧化物。

6.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电流阻挡层，所述电流阻挡层以所述电流阻挡层的至少一部分垂直地重叠所述电极的方式被设置在所述第二导电类型半导体层下面，并且具有低于所述反射层的导电性的导电性。

7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述反射层下的导电支撑构件和粘附层中的至少一个。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述欧姆层部分地或者全部地覆盖所述保护层的下表面。

9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述保护层和所述反射层之间的覆盖层。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述覆盖层接触所述第二导电类型半导体层的下表面，并且包括从由Ti、Ni、Pt、Pd、Cu、Al、Ir、以及Rh组成的组中选择的至少一个。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构从所述保护层的顶表面不连续地突出，并且具有锥形、棱形、条形、以及透镜形中的至少一个。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构具有氮化物基半导体的折射率。

13.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述反射层和所述保护层之间的第一凹凸结构和在所述反射层的下表面的外部处的第二凹凸结构中的至少一个。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述光提取结构包括III-V族化合物半导体，和低于从所述保护层开始的所述第一导电类型半导体层的顶表面的高度的厚度。

15.一种发光器件封装，包括：

主体；

所述主体上的多个引线电极；

发光器件，所述发光器件被提供在引线电极中的至少一个处，并且被电气地连接到所述引线电极；以及

成型构件，所述成型构件用于成型所述发光器件，

其中所述发光器件包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

所述第一导电类型半导体层上的电极；

所述第二导电类型半导体层下的反射层；

所述第二导电类型半导体层的下表面的外围部分处的保护层；以及

所述保护层上的包括化合物半导体的光提取结构。