[发明专利]封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟无效
申请号: | 201110035129.2 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102195586A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 须釜一义;沼田理志 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/215;G04G9/02;H01L41/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制造 方法 压电 振动器 振荡器 电子设备 电波 | ||
技术领域
本发明涉及包括互相接合的多个基板、形成在多个基板的内侧的空腔、及使空腔的内部与多个基板的外侧导通的贯通电极的封装件(package)的制造方法;压电振动片被安装于贯通电极上并且被配置在空腔的内部的压电振动器;具有压电振动器的振荡器、电子设备及电波钟。
背景技术
近年来,在便携电话或便携信息终端设备上,采用利用了水晶等作为时刻源或控制信号等的定时源、参考信号源等的压电振动器。已知多种多样的这种压电振动器,但作为其中之一,众所周知表面安装型的压电振动器。作为这种压电振动器,已知一般以由基底基板和盖基板上下夹持形成有压电振动片的压电基板的方式进行接合的3层构造型的压电振动器。这时,压电振动片被容纳于在基底基板和盖基板之间形成的空腔(密闭室)内。
此外,在近年,开发的并非上述的3层构造型,还开发了2层构造型。这种类型的压电振动器由于基底基板和盖基板直接接合而成为2层构造,在两基板之间形成的空腔内容纳有压电振动片。该2层构造型的压电振动器与3层构造的压电振动器相比在能实现薄型化等的方面优越,因而适于使用。
作为这种2层构造型的压电振动器之一,众所周知通过向形成在玻璃制的基底基板的贯通孔填充银膏等的导电部件并进行烧结而形成贯通电极,并且电连接压电振动片(水晶振动器)和设于基底基板的外侧的外部电极的压电振动器(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2002-124845号公报
但是,在由银膏形成的贯通电极中,因烧结而银膏中的树脂等的有机物会被除去,从而体积减少,因此有在贯通电极的表面产生凹部,或者在贯通电极上开孔的情况。然后,该贯通电极的凹部或孔会成为降低空腔内的气密性或恶化压电振动片与外部电极的导电性的原因。
因此,最近开发着利用由金属材料构成的金属销(pin)来形成贯通电极的方法。在该方法中,首先,使金属销插穿形成在贯通电极形成用圆片(wafer)的贯通孔,并在金属销与贯通孔的间隙填充玻璃料,通过烧结玻璃料而使贯通电极形成用圆片与金属销成为一体。通过在贯通电极上使用金属销,能够确保稳定的导电性。
但是,玻璃料所包含的有机物的粘合剂(binder)因烧结而被除去,因此有在玻璃料的表面产生体积减少导致的凹部的情况。然后,该玻璃料的凹部有时会成为例如在后面进行的形成电极膜的工序中断线的原因。
发明内容
本发明鉴于上述问题构思而成,其目的在于提供能防止在贯通电极上产生凹部的封装件的制造方法。
为了解决上述课题,本发明提出以下方案。
本发明的封装件的制造方法,其中该封装件包括互相接合的多个基板、形成在所述多个基板的内侧的空腔、以及使所述空腔的内部与所述多个基板的外侧导通的贯通电极,所述制造方法的特征在于,包括:电极部件形成工序,向由第一玻璃材料构成的筒体内插入由金属材料构成的芯材部并加热所述筒体,从而使所述筒体熔敷到所述芯材部而形成电极部件;孔部形成工序,在由第二玻璃材料构成的贯通电极形成基板用圆片形成配置所述电极部件的孔部;电极部件配置工序,在形成在所述贯通电极形成基板用圆片的所述孔部配置所述电极部件;熔敷工序,加热所述贯通电极形成基板用圆片与所述电极部件而使两者熔敷;以及冷却工序,冷却所述贯通电极形成基板用圆片与所述电极部件,在所述熔敷工序中,在所述贯通电极形成基板用圆片的表面设置压模(加压型)并且利用所述压模来按压所述贯通电极形成基板用圆片,并且将所述贯通电极形成基板用圆片和所述电极部件加热到比所述第一玻璃材料的软化点及所述第二玻璃材料的软化点高的温度,从而使两者熔敷。
依据本发明,利用压模来按压贯通电极形成基板用圆片,并且将贯通电极形成基板用圆片和电极部件加热而使两者熔敷,因此无需使用包含有机物的粘合剂的玻璃料而能够形成贯通电极。因此,不会出现伴随有机物的除去的体积减少,能够防止在贯通电极上产生凹部。
此外,在所述冷却工序中,较之所述熔敷工序中的从加热温度到所述第二玻璃材料的应变点+50℃为止的冷却速度,从所述应变点+50℃到所述应变点-50℃为止的冷却速度慢也可。
这时,使从应变点+50℃到应变点-50℃为止的冷却速度慢于从熔敷工序中的加热温度到第二玻璃材料的应变点+50℃为止的冷却速度。在熔敷工序中将贯通电极形成基板用圆片加热至比应变点高的温度的软化点,因此若在冷却工序中急速冷却,则在贯通电极形成基板用圆片上有可能残留有应变。因此,通过在应变点±50℃的范围使冷却速度降低,能够防止在贯通电极形成基板用圆片产生应变。
此外,所述压模由以碳、氧化铝、氧化锆、氮化硼、氮化硅中的任一种为主要成分的材料形成也可。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工电子有限公司,未经精工电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110035129.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于在AD转换器中进行错误识别的方法
- 下一篇:旋转电机