[发明专利]晶圆封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种晶圆封装方法。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。晶圆级芯片尺寸封装技术彻底颠覆了传统封装如陶瓷无引线芯片载具(Ceramic Leadless Chip Carrier)以及有机无引线芯片载具(Organic LeadlessChip Carrier)等模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装技术封装后的芯片尺寸达到了高度微型化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片尺寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、基板制造整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。

中国发明专利申请第200910030160.X号公开了一种晶圆级芯片尺寸封装法，该方法包括步骤：在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃，将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度；对晶圆进行各向同性湿法蚀刻；对晶圆进行各向异性湿法蚀刻在晶圆背面上按设计形成槽；对晶圆进行干法蚀刻，在晶圆背面的槽面上按设计形成孔，孔将晶圆正面部分的导通点外露于晶圆背面；对晶圆背面按设计进行电镀形成与导通点数量对应的金属线，金属线连通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；按设计在晶圆背面需植焊球的地方植焊球；将晶圆切割成单颗封装好的器件。

从上述方法步骤的描述可知，在现有晶圆级芯片封装技术中，晶圆封装后将芯片单元切割开来，切割后的芯片单元表面及四周仍是裸露的芯片，容易受到外界温湿度环境的影响，且抗机械撞击能力差，进而影响到产品的可靠性。

发明内容

本发明解决的技术问题是：在晶圆封装进切割时和切割之后，如何为芯片单元的表面及四周提供保护。

为解决上述技术问题，本发明提供晶圆封装方法，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。

可选的，所述填充所述凹槽具体包括：以形成所述封料层的材料填充所述凹槽。

可选地，还包括步骤：在所述保护层上形成再布线金属层；在所述再布线金属层上形成暴露所述电性焊盘的保护层。

可选地，所述电性输出端子为焊料球或金属凸块。

可选地，所述封装体通过胶合层固定在所述转载板上。

可选地，形成所述胶合层的材料为UV胶。

可选地，所述封料层的材料为环氧树脂。

可选地，所述保护层的材料为聚酰亚胺。

可选地，形成所述封装体的步骤包括：在基础载板上形成胶合层；将晶圆的功能面贴于所述胶合层上；将基础载板上贴有晶圆的一面形成封料层，所述封料层将所述晶圆包覆；去除所述基础载板和胶合层。

与现有技术相比，本发明请求保护的晶圆封装方法在晶圆的芯片单元之间先形成凹槽，并在凹槽内填充封料层。因此，在沿着凹槽切割晶圆时，凹槽内填充的封料层即可对晶圆提供有效保护。在切割步骤完成后，封料层仍能够为芯片单元的表面及四周提供保护。

附图说明

图1为本发明一个实施例中系统级扇出晶圆封装方法流程图；

图2为本发明另一个实施例中系统级扇出晶圆封装方法流程图；

图3至图12为图2所示流程中封装体示意图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

如图1所示，在本发明的一个实施例中，提供晶圆封装方法。该方法包括步骤：

S101，提供转载板，转载板上固定有包括晶圆和封料层的封装体，所述晶圆的功能面暴露；

S102，在晶圆的芯片单元之间形成凹槽；

S107，填充所述凹槽；

用以填充所述凹槽的材料与前述形成封料层的材料相同，且所述功能面是裸露的；