[发明专利]封装及该封装的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年12月21日提交的名称为“Package and Method for Manufacturing the Same”的韩国专利申请No.10-2010-0131635的权益，其全部内容作为参考被结合于此。

技术领域

本发明涉及一种封装以及该封装的制造方法。

背景技术

根据电子工业中多功能、紧凑性及高性能的需求，已经尝试将各种半导体(例如，封装中系统(SIP)半导体、片上系统(SOC)半导体等)放置为彼此接近。

另外，具有硅通孔(TSV)结构的半导体在高性能和紧凑性方面是非常有用的。已经进行了对安装印刷电路板的方法的研究，以最大化具有硅通孔(TSV)结构的半导体的性能。

此外，根据高性能和高速半导体的需求，晶体管被集成到半导体中，半导体的工作速度增加，由此导致与半导体的功率稳定性有关的问题。

为了解决该问题，已经尝试通过减少通孔和衬底布线的长度以减小电流路径的电感以及通过将电容器接近半导体放置以减小功率传输网络的阻抗。

发明内容

本发明用于提供一种具有晶粒(die)堆结构的封装，该封装包含硅通孔(TSV)，能够通过独立将功率信号施加到每个晶粒而增强每个晶粒的功率稳定性。

此外，本发明还用于提供一种具有晶粒堆结构的封装，该封装包括TSV，能够通过在针对每个晶粒的电性能检验完成之后组装封装以改善封装的最终产出。

此外，本发明还用于提供一种具有晶粒堆结构的封装，该封装能够更平滑地执行散热。

根据本发明的第一优选实施方式，提供一种封装，包括：第一封装，包括具有第一表面和第二表面的第一印刷电路板，并具有安装在第一表面上的第一晶粒，该第一晶粒具有硅通孔；第二封装，包括具有第一表面和第二表面的第二印刷电路板，并具有安装在该第一表面上的第二晶粒，该第二晶粒具有硅通孔；第一外连接端子，将第一印刷电路板的第一表面和第二印刷电路板的第一表面电互连，该第一印刷电路板的第一表面与第二印刷电路板的第一表面被设置成彼此相对；以及第一连接块，将第一晶粒与第二晶粒电互连。

第一晶粒和第二晶粒的每一个可以具有形成在第一和第二印刷电路板的安装表面上的有源表面。

封装还可以包括第二连接块，将第一印刷电路板和第一晶粒电互连。

封装还可以包括第三连接块，将第二印刷电路板与第二晶粒电互连。

封装还可以包括形成在第二印刷电路板的第二表面上的功率面或接地面。

封装还可以包括形成在第一印刷电路板的第二表面上的第二连接端子。

根据本发明的第二优选实施方式，提供一种制造封装的方法，包括：将具有在其中形成的硅通孔的第一晶粒安装在具有第一表面和第二表面的第一印刷电路板的第一表面上以准备第一封装；将具有在其中形成的硅通孔的第二晶粒安装在具有第一表面和第二表面的第二印刷电路板的第一表面上以准备第二封装；将第一印刷电路板的第一表面与第二印刷电路板的第一表面设置成彼此相对；在第一印刷电路板的第一表面与第二印刷电路板的第一表面之间形成第一外连接端子，使得第一印刷电路板的第一表面和第二印刷电路板的第一表面电互连；以及在第一晶粒与第二晶粒之间形成第一连接块，从而使得第一晶粒与第二晶粒电互连。

第一晶粒和第二晶粒的每一者可以具有形成在第一和第二印刷电路板的安装表面上的有源表面。

该制造封装的方法还可以包括形成将第一印刷电路板和第一晶粒电互连的第二连接块。

该制造封装的方法还可以包括形成将第二印刷电路板和第二晶粒电互连的第三连接块。

该制造封装的方法还可以包括在第二印刷电路板的第二表面上形成功率面或接地面。

该制造封装的方法还可包括在第一印刷电路板的第二表面上形成第二连接端子。

附图说明

图1是示出了根据本发明优选实施方式的封装结构的横截面图；

图2是示出了根据本发明优选实施方式的第一封装的结构的横截面图；以及

图3是示出了根据本发明优选实施方式的第二封装的结构的横截面图。

具体实施方式

参考附图并根据以下描述可以更清楚理解本发明的各种特征和优点。

说明书以及权利要求中使用的术语和词组不应当理解为局限于一般含义或字典定义，基于发明人可适当地对术语的概念进行定义以更为适当地对其所知的用于执行本发明的最佳方法进行描述这一原则，所述术语及词语应被解释为具有与本发明的技术范围相关的意义及概念。