[发明专利]6英寸POWERMOS管外延层的制造方法

权利要求书

1.一种6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：按以下步骤进行：

1）选择合适的POWERMOS管衬底片，并进行一定的前处理；

2）对衬底片在一定温度下进行HCL气相腐蚀；

3）进行第一次H₂变速吹扫；

4）在衬底片上淀积一层厚度为1-2 um的无掺杂本征层；

5）进行第二次H₂变速吹扫；

6）在本征层上形成第二外延层。

2.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所选择的POWERMOS管衬底片为重掺SB的N型抛光片，其衬底电阻率为0.007~0.02Ωcm，背封层为LTOSiO₂，厚度为8000±800埃，前处理是将边缘氧化层去除宽度1.0~2.0mm，倒角的角度22±0.5°，TTV<10um，TIR<5um，STIR<1.5@15*15mm²。

3.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所选择的POWERMOS管衬底片为重掺AS的N型抛光片，衬底电阻率为0.001—0.004Ωcm，背封层为PLOY+LTOSiO₂，其中PLOY的厚度为8000±800埃，LTOSiO₂的厚度为8000±800埃，前处理是将边缘氧化层去除宽度1.0~2.0mm，倒角的角度22±0.5°，TTV<10um，TIR<5um，STIR<1.5@15*15mm²。

4.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述HCL气相腐蚀的温度为1140~1160℃，气相腐蚀的时间为3~6min，HCL的流量为5~8L/min。

5.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述第一次H₂变速吹扫流量为300~350L/min，吹扫时间3~8min。

6.根据权利要求1或5所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述第一次H₂变速吹扫为在1140~1160℃温度下，先使用H₂流量为300~320L/min，吹扫2~3min，再将H₂流量提升到320~350L/min，吹扫1~5min。

7.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述无掺杂本征层的淀积温度1060~1070℃，淀积速率0.9~1.0um/min，淀积时间1~2min。

8.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述第二次H₂变速吹扫H₂流量300~350L/min，吹扫时间2~6min。

9.根据权利要求1或8所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述第二次H₂变速吹扫在1130~1150℃温度下，用H₂流量300~350L/min，吹扫时间2~6min，可以先使用H₂流量为300~320L/min，吹扫1~3min，再将H₂流量提升到320~350L/min，吹扫1~3min。

10.根据权利要求1所述的6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：所述第二外延层的淀积温度1130~1150℃；淀积速率1.3~1.6um/min。