[发明专利]在类金刚石薄膜表面制备羧基改性层的方法及由该法所制备的类金刚石薄膜

权利要求书

1.一种在类金刚石薄膜表面制备羧基改性层的方法，其特征在于其是采用原位低能射频等离子体激发方法，该方法包括以下步骤：

(1)用磁控溅射法沉积类金刚石薄膜，本底真空为2×10^-2～1×10^-4Pa；

(2)在完成类金刚石薄膜沉积后，原位通入不饱和羧酸气体；

(3)施加低能射频，启辉。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其还包括步骤：

(1)用上述方法沉积羧基改性的类金刚石薄膜后，原位通入H₂；

(2)施加低能射频，启辉。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述原位低能射频等离子体激发法改性时，待改性的类金刚石薄膜处于等离子体区外。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述不饱和羧酸优选为丙烯酸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述所述羧基改性层与类金刚石薄膜表面碳原子以化学键的方式结合，改性层厚度小于10nm。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述类金刚石薄膜也可以选择其它应用于生物传感器的无机薄膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)中，用酒精，丙酮，超纯水分别清洗硅片，均超声处理20min，将干燥的双面抛光硅片放入沉积室的待沉积区。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，以高纯氩气作为载气，原位通入丙烯酸气体，试剂瓶中的氩气分压为0.1～0.15MPa，腔体内Ar+丙烯酸气体总气压为5～20Pa，水浴槽内的温度为20～60℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)中，再次打开射频源，启辉后，调节射频功率为20W，电压350V，电流50mA，自偏压-50V至-150V；反应时间为10min～1h。

10.权利要求1-9中任一权利要求所述的在类金刚石薄膜表面制备羧基改性层的方法所制备的类金刚石薄膜。