[发明专利]修复存储芯片的方法和装置、存储芯片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，特别是涉及一种修复存储芯片的方法和装置、一种存储芯片。

背景技术

目前，随着手机多媒体应用日渐增多的趋势，内存容量多寡已成为下一代手机能否添增各项多媒体功能的关键因素之一。常见的手机内存主要包含NOR Flash(或非闪存)、NAND Flash(与非闪存)、Low Power SRAM(低功耗随机存储器)及Pseudo SRAM(虚拟静态随机存取记忆体)等。然而，由于手机轻薄短小的趋势，内存芯片在系统产品中能用的空间愈来愈小，故将手机内存NOR Flash、NAND Flash、Low Power SRAM及Pseudo SRAM堆栈封装成一颗的多芯片封装(MCP，Multi-Chip Packaging)技术很普遍地应用在手机上，以节省空间达到轻薄短小的目的。

MCP存储器通常用来存储操作代码、协议代码等数据内容，为了这些数据内容的安全可靠性，其通常不允许一个存储单元(memory cell)的损坏。因此，除了正常cell阵列(假设数目为2048)外，MCP还会包括一些备份cell(假设数目为8)；这样，在MCP产品出厂前，需要对其进行测试，以判断是否需要对其进行修复。

通常，MCP设置一个接口，在测试过程中，通过该接口可以对正常cell阵列进行读取(read)、编程(program)、擦除(erase)、擦除校验(EV，erase verify)等操作，并且，将当前操作的地址和记录的坏地址进行匹配，若匹配成功，则选中备份cell，同时屏蔽相应的正常cell；这也是已有修复方法的流程。

但是，针对非易失存储器的一般设计而言，只能以整片、整块(block)或扇区(sector)的形式进行erase操作，导致已有修复方法的erase操作是针对正常cell阵列和备份cell所在的块(block)进行的；这样，如果在实现修复之前进行过很多次erase操作，则会导致备份cell出现严重的过擦除(over erase)现象，从而增加备份cell的损坏几率，使得这些备份cell已经坏掉不能使用，这就给MCP的修复带来难题。

针对备份cell的over erase现象，还有一些修复方法会在实现修复之前避免进行erase操作，也即，减少erase操作次数，不仅起不到应有的效果，而且会大大限制修复的灵活性和修复能力。

总之，需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够在保持修复的灵活性和修复能力的同时，减小备份cell的损坏几率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种修复存储芯片的方法和装置、一种存储芯片，能够在保持修复的灵活性和修复能力的同时，减小备份cell的损坏几率。

为了解决上述问题，本发明公开了一种修复存储芯片的方法，包括：

地址匹配步骤：通过第一接口，对正常存储单元进行地址匹配操作，所述地址匹配操作包括将当前地址匹配操作地址和记录的错误地址进行匹配的操作，若匹配成功，则执行修复步骤，否则执行第一配置步骤；所述地址匹配操作还包括针对正常存储单元所在的目标块进行擦除操作；

过擦除检验步骤：在所述擦除操作成功后，通过第二接口，校验备份存储单元是否处于过擦除状态，若是，则执行软编程步骤，否则，转向修复步骤；

软编程步骤：通过第二接口，对处于过擦除状态的备份存储单元进行软编程操作，并在软编程结束后转向修复步骤；

修复步骤：使用备份存储单元替代与当前地址匹配操作地址对应的正常存储单元，并执行第二配置步骤：

第一配置步骤：针对当前地址匹配操作地址，建立第一接口打开和第二接口关闭的第一配置；

第二配置步骤：针对当前地址匹配操作地址，建立第一接口关闭和第二接口打开的第二配置。

优选的，所述方法还包括：

软编程校验步骤：校验备份存储单元的阈值电压是否大于零，若是，则结束软编程操作，，并转向修复步骤，否则，返回软编程步骤继续执行软编程操作。

优选的，在所述擦除操作之前，所述方法还包括：

预编程步骤：通过第二接口，对备份存储单元进行预编程操作。

优选的，在所述预编程步骤之前，所述方法还包括：

预编程校验步骤：通过第二接口，校验备份存储单元是否需要进行预编程操作，若是，则执行预编程步骤，否则，执行地址匹配步骤。

优选的，所述方法还包括：

设置步骤：设置寄存器，由该寄存器的输出控制所述第一接口和第二接口的打开和关闭。