[发明专利]曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法

说明书

本分案申请是基于申请号为200480021856.1，申请日为2004年7月26日，发明名称为“曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法”的中国专利申请的分案申请。更具体说，本分案申请是基于申请号为200810173388.X，申请日为2004年7月26日，发明名称为“曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法”的分案申请的再次分案申请。

技术领域

本发明涉及一种通过投影光学系和液体对基板进行曝光的曝光装置、使用该曝光装置的器件制造方法、及曝光装置的控制方法。

背景技术

半导体器件或液晶显示器件通过将形成于掩模上的图形转印到感光性基板上的所谓的光刻方法制造。该光刻工序使用的曝光装置具有支承掩模的掩模台和支承基板的基板台，一边依次移动掩模台和基板台，一边通过投影光学系将掩模的图形转印到基板。近年来，为了应对器件图形的更进一步的高集成化，希望获得投影光学系的更高的析像度。使用的曝光波长越短、投影光学系的数值孔径越大时，投影光学系的析像度越高。为此，曝光装置使用的曝光波长逐年变短，投影光学系的数值孔径也增大。现在主流的曝光波长为KrF受激准分子激光的248nm，但更短波长的ArF受激准分子激光的193nm也正得到实用化。另外，当进行曝光时，与析像度同样，焦深(DOF)也变得重要。析像度R和焦深δ分别用下式表示。

R＝k₁·λ/NA                …(1)

δ＝±k₂·λ/NA²            …(2)

其中，λ为曝光波长，NA为投影光学系的数值孔径，k₁、k₂为过程系数。从(1)式、(2)式可知，当为了提高析像度R而减小曝光波长λ、增大数值孔径NA时，焦深δ变窄。

当焦深δ变得过窄时，难以使基板表面与投影光学系的像面一致，存在曝光动作时的余量不足的危险。因此，作为实质上减小曝光波长而且扩大焦深的方法，例如提出有公开于国际公开第99/49504号公报的液浸法。该液浸法用水或有机溶剂等液体充满投影光学系的下面与基板表面之间，形成液浸区域，利用液体中的曝光用光的波长为空气中的1/n(n为液体的折射率，通常为1.2～1.6左右)这一点，提高析像度，同时，将焦深扩大为约n倍。

可是，在液浸曝光装置中，如曝光用的液体泄漏或浸入，则存在由该液体引起装置·构件的故障、漏电或生锈等问题的可能性。另外，不能良好地进行曝光处理。

发明内容

本发明就是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供一种在使用液浸法的场合也可良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。另外，可提供能够减小曝光用的液体的泄漏或浸入产生的影响、良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。

为了解决上述问题，本发明采用与实施形式所示图1～图22对应的以下构成。但是，各部分采用的带括弧的符号不过用于例示该部分，不限定各部分。

本发明的第1形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P)，对基板(P)进行曝光；其中：具有投影光学系(PL)和液体供给机构(10)；

该投影光学系(PL)将图形像投影到基板(P)上；

该液体供给机构(10)将液体(1)供给到投影光学系(PL)与基板(P)之间；

液体供给机构(10)在检测到异常或故障时停止液体(1)的供给。

按照本发明，当检测到异常时，停止由液体供给机构进行的液体供给，所以，可防止液体的泄漏或浸入或其损失的扩大。因此，可防止液体造成的周边装置·构件的故障、生锈或基板所处环境的变动的问题的发生，或降低这样的问题的影响。

本发明的第2形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P)，对基板(P)进行曝光；其中具有：

通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL)和

电气设备(47、48)；

为了防止液体(1)的附着引起的漏电，当检测到异常时，停止向电气设备(47、48)供电。

按照本发明，检测到异常时，停止向电气设备供电，防止液体的附着导致的漏电，所以，可防止漏电对周边装置的影响和电气设备自身的故障等问题的发生，或降低由此造成的损失。

本发明的第3形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P)，对基板(P)进行曝光；其中具有：