[发明专利]形成半导体管芯的方法无效
| 申请号: | 201110009539.X | 申请日: | 2011-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN102130022A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | G·M·格里瓦纳;M·J·塞登 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H01L25/16 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 半导体 管芯 方法 | ||
1.一种形成半导体器件的方法,包括以下步骤:
提供具有用于接收第二半导体管芯的插座的第一半导体管芯;
将第二半导体管芯放置于所述插座之内;
将所述第一半导体管芯连接至第一连接端子,并且将所述第二半导体管芯连接至第二连接端子;以及
将所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯封装于半导体封装之内。
2.根据权利要求1所述的方法,其中提供具有所述插座的所述第一半导体管芯的步骤包括:提供具有所述插座的所述第一半导体管芯,所述插座为通过所述第一半导体管芯的开口、沿着所述第一半导体管芯的周边的突出部或者沿着所述第一半导体管芯的所述周边的曲线形状中的一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第二半导体管芯放置于所述插座之内的步骤包括:放置形成于与硅基板不同的基板上的所述第二半导体管芯。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括使用干法蚀刻法从半导体晶片中切单所述第一半导体管芯以及同时形成所述插座。
5.一种形成半导体器件的方法,包括以下步骤:
提供具有用于接收第二半导体管芯的插座的第一半导体管芯;
将元件放置于所述插座之内;
将所述第一半导体管芯连接至第一连接端子;
将所述电元件连接至所述第一半导体管芯或第二连接端子之一;以及
封装所述第一半导体管芯和所述元件。
6.根据权利要求5所述的方法,其中将所述元件放置于所述插座之内的步骤包括:放置热沉、对准钥、砷化镓有源器件、非硅有源器件、氮化镓有源器件或无源电元件中的一种。
7.根据权利要求5所述的方法,还包括在从半导体晶片中切单出所述第一半导体管芯时形成所述插座。
8.一种半导体器件,包括:
具有用于接收电元件的插座的第一半导体器件;以及
放置于所述插座之内的元件。
9.根据权利要求8所述的半导体管芯,其中所述第一半导体管芯具有多连通的拓扑。
10.根据权利要求8所述的半导体管芯,其中所述元件是模塑锁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





