[发明专利]一种纤维表面氮化硼涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110007983.8 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN102167612A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 李俊生;李斌;张长瑞;王思青;刘荣军;曹峰 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: C04B35/84 分类号: C04B35/84;C04B35/80
代理公司: 长沙星耀专利事务所 43205 代理人: 宁星耀
地址: 410073 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 纤维 表面 氮化 涂层 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种氮化硼涂层制备方法,特别是涉及一种纤维表面氮化硼涂层的制备方法。

背景技术

连续纤维增强陶瓷基复合材料以其良好的补强增韧效果、优良的抗热震性能、大损伤容限、非灾难性破坏(具有与金属类似的塑性断裂行为)等特点而成为陶瓷基复合材料发展的主要方向。

纤维增强陶瓷基复合材料的结构包括纤维、基体及纤维和基体之间的界面相。连续纤维增强陶瓷基复合材料的性能不仅取决于纤维和基体的性能,更重要的是纤维、界面相和基体三者的性能匹配。界面相对陶瓷基复合材料的性能起着决定性作用。合适的界面相能够使基体裂纹偏转、纤维脱粘、纤维桥联、纤维拔出等增韧机理得到有效发挥。纤维表面涂层是控制界面相的有效手段。纤维表面涂层不仅能够控制界面相的结合强度,而且可以保护纤维免受工艺和使用过程中的腐蚀、氧化、界面化学反应及机械损伤,显著改善复合材料的力学性能。

氮化硼是一种有广泛应用前途的重要的抗氧化高温材料,具有优良的物理和化学特性:低密度、耐高温、抗氧化、耐化学腐蚀、自润滑、耐烧蚀、与多种金属不浸润、热导率高、绝缘性好、抗电击穿强度高、良好的透波性能、加工性能好。而六方氮化硼具有和石墨类似的层状晶体结构,层与层之间是范德华力的弱结合(相对于化学键强结合),易于滑动,可以用作纤维增强陶瓷基复合材料中的界面涂层。此外,氮化硼界面层与热解炭界面层相比,还具有其独特的优势:良好的抗氧化性能、耐各种金属熔体侵蚀且不被金属熔体润湿、更好的化学惰性。

氮化硼涂层的制备方法主要有物理气相沉积法、热喷涂法、先驱体转化法、化学转化法和化学气相沉积法等。其中化学气相沉积法适于在纤维及其编织体上制备涂层。传统的化学气相沉积法一般以B2H6+NH3、(BCl3、BF3或BBr3)+NH3为先驱体来制备氮化硼涂层。但以这些先驱体为原料制备氮化硼涂层存在诸多缺点:原料气有毒且易燃易爆;设备腐蚀严重;废气污染环境,难以处理;涂层纯度不高;制备温度高;生长速率慢等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种原料气无毒,对设备无腐蚀,对环境污染少,生长速率较快,涂层厚度均匀的纤维表面氮化硼涂层制备方法。

本发明的技术路线为:以硼吖嗪为先驱体,以氮气、氢气或氩气为稀释气体和载气,采用化学气相沉积法,在玻璃纤维、石英纤维、碳纤维或碳化硅纤维等纤维表面热解沉积制备氮化硼涂层。本发明用于制备氮化硼涂层之装置包括:化学气相沉积法室(沉积坩埚)、加热元件、温度控制系统、压强控制系统、流量控制系统、真空泵系统、气体导入、气体排出系统等构成。

本发明纤维表面氮化硼涂层制备方法具体包括以下步骤:(1)将纤维编织体置于有机溶剂丙酮中超声清洗,去除表面污染物,干燥后放入沉积炉膛内;(2)对沉积炉膛抽真空,充入氮气,反复进行三次,置换沉积炉膛内的空气;(3)对沉积炉膛抽真空至0.01~1 Pa(优选0.1~0.5 Pa),升温至500~1800 ℃(优选800~1200℃);(4)待温度稳定后,导入载气和稀释气,载气流量10~1000 ml/min(优选20~500 ml/min),稀释气流量0~1000 ml/min,将系统压强维持在200Pa~30 kPa(优选800~12000Pa);载气通过鼓泡的方式将硼吖嗪带入沉积炉炉膛内,硼吖嗪鼓泡瓶的保温温度为-30~40 ℃(优选-5~5 ℃,更优选0 ℃),硼吖嗪在沉积炉炉膛内分解出的氮化硼逐步沉积于纤维表面,形成氮化硼涂层,沉积时间1.5~3.0小时(优选2小时);(5)沉积结束之后,停止导入载气及稀释气,关闭加热系统,随炉冷却至室温,即得沉积于纤维表面的氮化硼涂层。

所述纤维编织体可为玻璃纤维编织体、石英纤维编织体、碳纤维编织体或碳化硅纤维编织体。

所述载气为氢气、氮气或氩气或其中两种以上的混合气体(优选氮气),所述稀释气亦为氢气、氮气或氩气(优选氮气)。

研究表明,硼吖嗪是苯的等电子体,其结构与苯类似,因此又称为无机苯,其分子结构为B3N3H6。分子中存在大的共轭π键,硼原子和氮原子相间排列成硼氮六环结构,每一个硼原子和氮原子分别于一个氢相连接。硼吖嗪的六元环结构是六方氮化硼的基本结构单元,B:N原子比为1:1,杂质元素仅含有氢元素,应是制备氮化硼陶瓷的理想先驱体。

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