[发明专利]一种存储芯片的修复装置和方法有效
申请号: | 201110005399.9 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN102592680A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 苏志强;舒清明 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 芯片 修复 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域,特别是涉及一种存储芯片的修复装置和方法。
背景技术
随着微电子技术的飞速发展,并行芯片测试被引入印刷电路板、通讯产品和片上系统等集成电路领域并得到广泛应用。并行芯片测试指在同一时间内完成多项测试任务,包括在同一时间内完成对多个待测芯片的测试,或者,在单个待测芯片上异步或者同步地运行多个测试任务,同时完成对待测芯片多项参数的测量。
存储芯片的基本存储单位为存储单元(memory cell),为了存储芯片内数据的安全可靠性,其通常不允许一个memory cell的损坏,因此,在并行测试存储芯片的过程中,需要对存储芯片进行修复。
从测试角度出发,记录存储芯片中的错误地址即认为实现了存储芯片的修复。已有的存储芯片修复方法的实现过程通常为,自动测试设备(ATE,Automatic Test Equipment)依次针对每个待测存储芯片,对其进行地址遍历读取数据,并根据目标数据判断读取数据正确与否,如果错误,则认为当前地址为错误地址,于是记录当前地址至寄存器。这样,在遍历完所有的存储芯片后,ATE就会依据寄存器中记录的错误地址,逐个存储芯片进行修复。
可以看出,为了记录不同存储芯片的错误地址,现有的存储芯片修复方法需要串行读取各存储芯片;并且,由于存储芯片的错误地址记录在ATE的寄存器中,导致依据寄存器中记录的错误地址进行各存储芯片的串行修复,这就违背了并行测试的初衷,导致存储芯片修复速度的降低。
另外,由于ATE的硬件限制,其仅能提供有限空间的寄存器;这样,在每个存储芯片中都有大量(如1024个)错误地址时,32(32为并测数量)个存储芯片就会产生32×1024个错误地址,ATE很难将所有存储芯片的错误地址记录下来,导致存储芯片修复的失败。
总之,需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是:如何能够提高存储芯片修复的速度和成功率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种存储芯片的修复装置和方法,能够实现存储芯片的并行修复,从而能够提高存储芯片修复的速度和成功率。
为了解决上述问题,本发明公开了一种存储芯片的修复装置,位于存储芯片内部,包括:
数据比较模块,用于在自动测试设备并行读取存储芯片时,对所处存储芯片的当前地址中的数据与预设目标数据进行比较;
错误地址寄存器,用于在该当前地址中的数据不同于预设目标数据时,将该当前地址作为错误地址进行记录;及
保存模块,用于在所处存储芯片读取完毕时,保存所述错误地址寄存器中的错误地址。
优选的,所述装置还包括控制状态机,用于控制所述数据比较模块、错误地址寄存器和保存模块的操作。
优选的,所述控制状态机包括:
设定模块,用于在自动测试设备并行读取存储芯片前,依据外界的准备指令,将所处存储芯片的地址中的数据设定为所述预设目标数据。
优选的,所述控制状态机包括:
保存控制模块,用于在所处存储芯片读取完毕时,依据外界的保存指令,通过控制将所述错误地址寄存器中的错误地址保存至所述保存模块。
优选的,所述数据比较模块,还用于在该当前地址中的数据不同于预设目标数据时,发送错误信号至所述控制状态机;
所述控制状态机包括:
记录控制模块,用于依据所述错误信号,通过控制将该当前地址作为错误地址记录至所述错误地址寄存器。
优选的,所述控制状态机包括:
增加模块,用于在所处存储芯片中增设冗余空间;
地址比较模块,用于将所述保存模块中保存的错误地址和外界输入的地址进行比较;及
替代模块,用于在所述保存模块中保存的错误地址与外界输入的地址相同时,使用冗余空间来替代所处存储芯片中的该错误地址对应的空间。
优选的,所述控制状态机还包括:
冗余设定模块,用于在自动测试设备并行读取存储芯片前,依据外界的准备指令,将所述冗余空间中的数据设定为第一预设目标数据。
另一方面,本发明还公开了一种存储芯片的修复方法,所述方法在存储芯片内部执行,包括:
比较步骤:在自动测试设备并行读取存储芯片时,对所处存储芯片的当前地址中的数据与预设目标数据进行比较;
记录步骤:在该当前地址中的数据不同于预设目标数据时,将该当前地址作为错误地址记录到错误地址寄存器;
保存步骤:在所处存储芯片读取完毕时,保存所述错误地址寄存器中的错误地址。
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