[发明专利]采用反应烧结法制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法有效
| 申请号: | 201110003742.6 | 申请日: | 2011-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN102153343A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 李玲霞;丁响;王洪茹;张志萍 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 曹玉平 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 采用 反应 烧结 法制 值钛酸镁基 微波 介质 陶瓷 方法 | ||
1.一种采用反应烧结法制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法,具有如下步骤:
(1)按照钛酸镁基微波介质陶瓷的原料组分及其质量百分比含量为MgTiO3-m wt%MO进行配料,其中:MO为添加剂CoO、NiO、ZnO、MnO2、ZrO2或者SnO2,0≤m≤10;将粉料放入聚酯罐中,按照质量百分比,料∶水∶球≈1∶7∶7的比例加入去离子水和锆球,球磨6-24小时;
(2)将步骤(1)球磨后的原料置于干燥箱中于80-130℃烘干,烘干后过40目筛,获得颗粒均匀的陶瓷粉料;
(3)在步骤(2)过筛后的陶瓷粉料中加入质量百分比为6-10%的石蜡作为粘合剂进行造粒,过筛80目后,再用粉末压片机以2-6MPa的压力压成生坯,将生坯于1250℃-1400℃烧结2-8小时,制得钛酸镁基微波介质陶瓷;
(4)将步骤(3)制得的钛酸镁基微波介质陶瓷进行物理及介电性能检测。
2.根据权利要求1的制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法,其特征在于,所述步骤(1)的原料均采用分析纯原料。
3.根据权利要求1的制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法,其特征在于,所述步骤(1)的球磨设备为行星式球磨机。
4.根据权利要求1的制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法,其特征在于,所述步骤(3)的生坯直径为10mm、高度为5mm。
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