[发明专利]硅化合物膜的干式刻蚀方法

说明书

本申请是申请日为2009年9月17日、中国专利申请号为200910175508.4、发明名称为“硅化合物膜的干式刻蚀方法”的分案申请。

本申请要求2008年9月19日在日本提出的日本申请2008-240537号的优先权，其全文在此引入作为参考。

技术领域

本发明涉及一种硅化合物膜的干式刻蚀方法。

背景技术

例如，以往的薄膜晶体管中具有反向交错型。在该薄膜晶体管中，在基板的上表面设置栅电极(gate electrode)。在包括栅电极的基板的上表面设置栅绝缘膜(gate insulating film)。在栅电极上的栅绝缘膜的上表面设置由本征非晶硅构成的半导体薄膜。在半导体薄膜的上表面两侧设置由n型非晶硅构成的欧姆接触层。在各欧姆接触层的上表面设置源电极和漏电极。

然而，在上述以往的薄膜晶体管的欧姆接触层和半导体薄膜的形成方法中，将成膜于栅绝缘膜上表面的本征非晶硅膜(半导体薄膜形成用膜)和n型非晶硅膜(欧姆接触层形成用膜)连续地干式刻蚀。该情况下，使用SF6(六氟化硫)气体作为刻蚀气体。

但是，作为在上述以往的干式刻蚀方法中使用的刻蚀气体的SF6的变暖系数(warming potential)为数千～数万，非常大，因此近年来其作为地球变暖的原因之一而被视为问题。因而，选择代替它的替代气体成为重要的课题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种在不使用SF6等成为地球变暖原因之一的气体的情况下，能够良好地对非晶硅膜和氮化硅膜等构成薄膜晶体管的材料进行干式刻蚀的硅化合物膜的干式刻蚀方法。

本发明的硅化合物膜的干式刻蚀方法的实施方式之一为：通过使用了至少含有COF₂的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀。

根据本发明，通过利用使用了至少含有COF₂的气体的平行平板型的干式刻蚀来对非晶硅膜等硅化合物膜进行干式刻蚀，能够在不使用SF6等成为地球变暖原因之一的气体的情况下，良好地将非晶硅膜等硅化合物膜进行干式刻蚀。

本发明的其他目的和优点将在后文叙述，其中部分根据说明书是显而易见的，或者可能需要通过实施本发明才能获知。本发明的目的和优点可以通过特别是后文的实施方式和组合来实现和获得。

附图说明

所附的附图被引入并组成本发明的一部分，其示例了本发明的实施方式，并与上文的一般描述以及下文对具体实施方式的详细描述一起用于解释本发明的原理。

图1为利用包含本发明的干式刻蚀方法的制造方法而制造的薄膜晶体管面板的一个例子的截面图。

图2为图1所示的薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子的起始工序的截面图。

图3为接着图2的工序的截面图。

图4为接着图3的工序的截面图。

图5为接着图4的工序的截面图。

图6为接着图5的工序的截面图。

图7为接着图6的工序的截面图。

图8为接着图7的工序的截面图。

图9为接着图8的工序的截面图。

图10为第1干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。

图11为第2干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。

图12为第3干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。

图13为第4干式刻蚀装置的一个例子的概略构成图。

图14为利用包含本发明的干式刻蚀方法的制造方法而制造的薄膜晶体管面板的另一例子的截面图。

图15为图14所示的薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子的起始工序的截面图。

图16为接着图15的工序的截面图。

图17为接着图16的工序的截面图。

图18为接着图17的工序的截面图。

图19为接着图18的工序的截面图。

图20为接着图19的工序的截面图。

图21为表示液晶显示装置的一个例子的图。

图22为表示手机的一个例子的图。

具体实施方式

以下参照附图详细地说明本发明的实施方式。

图1为利用包含本发明的干式刻蚀方法的制造方法而制造的薄膜晶体管面板的一个例子的截面图。该薄膜晶体管面板具备玻璃基板1。在玻璃基板1上表面的规定位置上设置由铬等金属构成的栅电极2。在包含栅电极2的玻璃基板1的上表面设置由氮化硅构成的栅绝缘膜3。