[发明专利]硅化合物膜的干式刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，通过使用了至少含有COF₂的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀，所述硅化合物膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜形成于非晶硅膜上，在制造反向交错型沟道保护膜型的薄膜晶体管时，所述非晶硅为本征非晶硅膜，在该本征非晶硅膜上对所述氮化硅膜进行干式刻蚀，形成沟道保护膜图案，所述刻蚀气体为含有COF₂气体和氧气的混合气体，且氧气相对于COF₂气体的流量比为0.5～4。

2.如权利要求1所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，氧气相对于COF₂气体的流量比为1.5～2。

3.一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，通过使用了至少含有COF₂的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀，所述硅化合物膜为本征非晶硅膜和形成于该本征非晶硅膜上的n型非晶硅膜，所述本征非晶硅膜形成于氮化硅膜上，在制造反向交错型沟道保护膜型或反向交错型沟道刻蚀型的薄膜晶体管时，在由所述氮化硅膜构成的栅绝缘膜上，连续地干式刻蚀所述n型非晶硅膜和所述本征非晶硅膜，形成半导体薄膜，并在半导体薄膜的上表面两侧形成欧姆接触层，所述刻蚀气体为含有COF₂气体和氯气的混合气体。

4.如权利要求3所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，COF₂气体相对于氯气的流量比为0.1～1。

5.如权利要求3所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，COF₂气体相对于氯气的流量比为0.25～0.5。

6.如权利要求3所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，所述干式刻蚀为利用阴极耦合的干式刻蚀。

7.如权利要求3所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，所述干式刻蚀为利用阳极耦合的干式刻蚀。

8.如权利要求3所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体进一步含有不活泼性气体。

9.如权利要求3所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，所述干式刻蚀在1～100Pa的真空环境下进行。

10.一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，通过使用了至少含有COF₂的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀，所述硅化合物膜为本征非晶硅膜和形成于该本征非晶硅膜上的n型非晶硅膜，所述本征非晶硅膜形成于氮化硅膜上，在制造反向交错型沟道刻蚀型的薄膜晶体管时，在由所述氮化硅膜构成的栅绝缘膜上，连续地干式刻蚀所述n型非晶硅膜和所述本征非晶硅膜，形成半导体薄膜，并在半导体薄膜的上表面两侧形成欧姆接触层，所述刻蚀气体为含有COF₂气体和氧气的混合气体，且氧气相对于COF₂气体的流量比为2以下。

11.如权利要求10所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，氧气相对于COF₂气体的流量比为0.2～0.3。

12.一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，通过使用了至少含有COF₂的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀，所述硅化合物膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜形成于由ITO膜或金属膜构成的基底上，在制造反向交错型沟道保护膜型或反向交错型沟道刻蚀型的薄膜晶体管时，在对应于所述基底的部分中的由所述氮化硅膜构成的外敷膜上利用干式刻蚀形成开口部，所述刻蚀气体为含有COF₂气体和氧气的混合气体，且氧气相对于COF₂气体的流量比为2以下。

13.如权利要求12所述的硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，氧气相对于COF₂气体的流量比为0.2～0.3。