[发明专利]一种支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法

权利要求书

1.一种支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法，包括：

(1)获取芯片的个数、面积以及位置摆放的信息；

(2)根据步骤(1)中芯片的位置摆放信息，将形状大小相同或相似需要被放置在相邻位置的芯片归属于同一个子版图分组，将形状大小相同或相似需要被放置在相邻位置的芯片与子版图分组或者子版图分组与子版图分组归属于一个父版图分组，并构建对应的层次化版图分组信息；

(3)根据步骤(1)中芯片的位置摆放信息，获取需要被放置在特定位置的芯片或芯片版图分组在整个掩模板内部坐标系中的相对位置约束信息和绝对位置约束信息；

(4)根据步骤(2)中的分组信息构建层次化的区块信息，每个芯片或者芯片版图分组都被看成为一个区块，属于某个版图分组的芯片或者子版图分组对应的区块都被看作是该版图分组对应区块的子区块，拥有子区块的区块被标记为区块组；

(5)根据步骤(3)中的约束信息计算出相对位置约束惩罚项P_Ri和绝对位置约束惩罚项P_Ai，根据步骤(1)中芯片的个数和面积信息定义出含有位置约束惩罚项的总目标方程，方程表达式如下：

Area=AreaB+Σi=1n(ERAi*WR*PRi+WAPAi)*sqrt(AreaT)]]>

其中，Area_B为当前随机芯片布局规划所占用掩模板的面积；n为所有芯片和芯片版图分组的数目；Area_T为所有芯片的面积和，sqrt(Area_T)为所有芯片的面积和的平方根；W_R和W_A分别为P_Ri和P_Ai的权重系数，W_R＝2，W_A＝0.02；E_RAi为权重开关系数，当芯片或芯片版图分组不符合绝对位置约束时，E_RAi＝0，否则E_RAi＝1；

(6)根据步骤(1)的信息随机获取单个掩模板的初始布局规划，使用步骤(5)中定义的总目标方程作为模拟退火算法的目标方程，根据步骤(4)的区块信息调整区块位置，并利用模拟退火算法对布局规划进行优化求解；

(7)根据步骤(6)优化求解的结果得到最优布局规划，再按照最优的布局规划去切割晶圆。

2.根据权利要求1所述的支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法，其特征在于：所述的步骤(6)中调整区块位置的过程，同属于一个区块组的子区块位置移动只限在组内部相互进行，整个区块组再作为一个整体与同组同级的区块组进行布局规划。

3.根据权利要求1所述的支持芯片位置受约束限制的多项目晶圆切割方法，其特征在于：所述的P_Ri的值为，

设某芯片或芯片版图分组为C_i，C_i的左边界，右边界，下边界和上边界坐标值分别为left_i，right_i，bottom_i和top_i；当前布局规划的左边界，右边界，下边界和上边界坐标值分别LEFT，RIGHT，BOTTOM和TOP；

1)C_i被放置在掩模板上任意位置时，P_Ri＝0；

2)C_i被放置在掩模板左上角位置时，P_Ri＝|left_i-LEFT|+|top_i-TOP|；

C_i被放置在掩模板右上角位置时，P_Ri＝|right_i-RIGHT|+|top_i-TOP|；

C_i被放置在掩模板左下角位置时，P_Ri＝|left_i-LEFT|+|bottom_i-BOTTOM|；

C_i被放置在掩模板右下角位置时，P_Ri＝|right_i-RIGHT|+|bottom_i-BOTTOM|；

3)C_i被放置在掩模板上边位置时，P_Ri＝|top_i-TOP|；

C_i被放置在掩模板下边位置时，P_Ri＝|bottom_i-BOTTOM|；

C_i被放置在掩模板左边位置时，P_Ri＝|left_i-LEFT|；

C_i被放置在掩模板右边位置时，P_Ri＝|right_i-RIGHT|；

4)C_i被放置在掩模板上中心位置时，

P_Ri＝|(top_i+bottom_i)/2(TOP+BOTTOM)/2|+|(right_i+left_i)/2(RIGHT+LEFT)/2|；

设C_i下界限点坐标为(ULx_i，ULy_i)，上界限点坐标为(URx_i，URy_i)，当C_i设定了下界限点时E_li＝1，否则E_li＝0；当C_i设定了上界限点时E_ri＝1，否则E_ri＝0；设函数G(x)，当x＞0时，G(x)＝x，当x＜＝0时，G(x)＝0；

所述的P_Ai的值为，

1)C_i被放置在掩模板上任意位置时，P_Ai＝0；

2)C_i被放置在掩模板左上角位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-top_i)+E_li*G(ULx_i-left_i)+E_ri*G(top_i-Ury_i)+E_ri*G(left_i-Urx_i)；

C_i被放置在掩模板右上角位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-top_i)+E_li*G(ULx_i-right_i)+E_ri*G(top_i-Ury_i)+E_ri*G(right_i-Urx_i)；

C_i被放置在掩模板左下角位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-bottom_i)+E_li*G(ULx_i-left_i)+E_ri*G(bottom_i-Ury_i)+E_ri*G(left_i-Urx_i)；

C_i被放置在掩模板右下角位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-bottom_i)+E_li*G(ULx_i-right_i)+E_ri*G(bottom_i-Ury_i)+E_ri*G(right_i-Urx_i)；

3)C_i被放置在掩模板上边位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-top_i)+E_ri*G(top_i-Ury_i)；

C_i被放置在掩模板下边位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-bottom_i)+E_ri*G(bottom_i-Ury_i)；

C_i被放置在掩模板左边位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-left_i)+E_ri*G(left_i-Ury_i)；

C_i被放置在掩模板右边位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-right_i)+E_ri*G(right_i-Ury_i)；

4)C_i被放置在掩模板上中心位置时，

P_Ai＝E_li*G(ULy_i-bottom_i)/2+E_li*G(ULx_i-left_i)/2+E_ri*G(top_i-Ury_i)/2+E_ri*G(right_i-Urx_i)/2。