[发明专利]ZrB2/SiC/Zr-Al-C陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110000100.0 申请日: 2011-01-04
公开(公告)号: CN102161588A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 李俊国;郭启龙;沈强;张联盟 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 王守仁
地址: 430071 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: zrb sub sic zr al 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种ZrB2/SiC/Zr-Al-C陶瓷的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:

(1)混合粉体的制备:

所用原料为Zr、Al及其合金包裹的ZrB2粉体、SiC和C,原料中各物质的含量为Zr、Al包裹ZrB2的粉体的量为83.5-87.6wt%,其中Zr所占包裹ZrB2的粉体含量为2.5-16.2wt%,Al所占包裹ZrB2的粉体含量为2.2-14.0wt%,SiC所占混合粉体含量为11.7-12.3wt%,C所占混合粉体含量为0.7-4.2wt%,将上述原料采用球磨混合均匀,得到混合均匀粉体;

(2)烧结:

称取混合均匀粉体装入石墨模具中,在1600°C-1900°C温度烧结,烧结压力为0-30MPa,得到致密的ZrB2/SiC/Zr-Al-C陶瓷。

2. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:起始原料中金属Zr占包裹粉体的含量为16.2wt%。

3. 如权利要求1所述的制备方法,其特征是:起始原料中金属Al占包裹粉体的含量为14.0wt%。

4. 如权利要求1所述的制备方法,其特征是:起始原料中C的含量为4.2wt%。

5. 如权利要求1所述的制备方法,其特征是:烧结温度为1700°C-1800°C,烧结压力为10-20MPa。

6. 如权利要求1所述的制备方法,其特征是:烧结温度为1900°C,烧结压力为30MPa。

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