[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号: | 201080066405.5 | 申请日: | 2010-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN102859687A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 藤泽敦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高科 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造技术,尤其涉及把半导体芯片搭载到外形尺寸比半导体芯片大的芯片搭载部上的半导体器件的有效技术。
背景技术
在日本特开2009-71154号公报(专利文献1)的图2中记载了从密封体露出搭载有半导体芯片的芯片搭载部的半导体器件。另外,在专利文献1中,芯片搭载部的外形尺寸比半导体芯片的外形尺寸大。
另外,在日本特开2007-134394号公报(专利文献2)的图8(a)中记载了把半导体芯片搭载到在上表面(表面)形成了沟的芯片搭载部上的半导体器件。
<专利文献1>日本特开2009-71154号公报
<专利文献2>日本特开2007-134394号公报
发明内容
(发明要解决的问题)
伴随着电子设备的高速化(或高功能化),被搭载的半导体器件的发热量有增加的倾向。于是,本发明人分析了像上述专利文献1的图2所示的那样的、从密封体露出搭载有半导体芯片的芯片搭载部(模片焊盘(die pad,裸片焊盘)、接片(tab))的结构。如果是这样的结构,则由于可以把芯片搭载部的下表面(背面)与安装衬底连接,所以与用密封体覆盖芯片搭载部的结构相比可以提高散热性。另外,通过像上述专利文献1的图2那样使芯片搭载部的外形尺寸比半导体芯片的外形尺寸大,可以进一步提高散热性。
但是,如果仅仅增大芯片搭载部的外形尺寸,则固定到芯片搭载部上的半导体芯片容易剥离。其原因是因为,构成芯片搭载部的基材(引线框)由与构成半导体芯片的材料不同的材料构成。即,是因为它们的线膨胀系数出现差异。因此,如果向这样的半导体器件施加热量,则基材的膨胀/收缩量与半导体芯片的膨胀/收缩量不同,在为了把半导体芯片固定到芯片搭载部上而使用的模片键合材料(粘接材料)中产生应力。
另外,在所使用的半导体芯片和芯片搭载部的各自的平面形状都是四边形时,在芯片搭载部的角部(半导体芯片的角部)尤其容易发生该剥离的问题。其理由是因为,各自的离中央部远的部分即角部处的应力最大。而且,在芯片搭载部的角部,如果发生因应力造成的模片键合材料的剥离,则剥离向芯片搭载部的中央部发展,结果,模片键合材料在大范围内剥离,成为可靠性下降的原因。
而且,在像上述专利文献1的图2所示的那样,从密封体露出芯片搭载部的一部分(下表面)的情况下,芯片搭载部与密封体之间难以完全密封。因此,与用密封体覆盖芯片搭载部的结构相比,水分容易侵入半导体器件内部。
像上述那样,在芯片搭载部的外形尺寸比半导体芯片的外形尺寸大,且从密封体露出芯片搭载部的一部分(下表面)的结构的情况下,如果时间长的话,就成为半导体器件可靠性下降的原因。
于是,作为例如即使水分进入也可以抑制模片键合材料的剥离的结构,本发明人分析了例如在芯片搭载部的上表面(表面)形成像上述专利文献2的图8(a)所示那样的沟。
但是,发现用例如像上述专利文献2的图8(a)所示那样的沟不能充分降低芯片搭载部的角部处的应力。还发现,在角部处发生剥离时,剥离会经由未形成沟的区域向芯片搭载部的中央部发展,结果,模片键合材料会在大范围内剥离。
本发明正是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供可以抑制半导体器件的可靠性下降的技术。
另外,本发明的另一目的在于提供可以提高半导体器件的散热性的技术。
本发明的上述和其它的目的和新颖特征,从本说明书的描述和附图可以清楚地看出。
(用来解决问题的手段)
如果简要地说明本申请中公开的发明中的代表性方案的概要,则如下所述。
即,根据作为本发明的一方式的半导体器件,搭载半导体芯片的模片焊盘的芯片搭载区的平面形状是比模片焊盘的外形尺寸小的四角形。另外,在上述芯片搭载区上,在上述芯片搭载区的第一角部形成第一沟;在隔着上述芯片搭载区的中央部与上述第一角部相对置的第二角部形成第二沟;在位于上述第一角部与上述第二角部之间的第三角部形成第三沟;在隔着上述芯片搭载区的上述中央部与上述第三角部相对置的第四角部形成第四沟。另外,通过模片键合材料把上述半导体芯片搭载到上述芯片搭载区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080066405.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





