[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

模片焊盘、

半导体芯片、

配置在上述模片焊盘周围的多个引线、

多个导电性部件、以及

密封体，

上述模片焊盘具有：

平面形状是四角形的上表面；

在上述上表面上设置且平面形状是四角形的芯片搭载区；

在上述芯片搭载区的第一角部形成的第一沟；

在第二角部形成的第二沟，在平面视图上该第二角部隔着上述芯片搭载区的两个对角线相交叉的中央部与第一角部相对置；

在第三角部形成的第三沟，在平面视图上该第三角部位于上述第一角部与上述第二角部之间；

在第四角部形成的第四沟，在平面视图上该第四角部隔着上述芯片搭载区的上述中央部与上述第三角部相对置；以及

与上述上表面相反的一侧的下表面，

上述半导体芯片具有：

平面形状是四角形的第一主面；

在上述第一主面形成的多个电极焊盘；和

与上述第一主面相反的一侧的第二主面，且

在平面视图上，该半导体芯片具有比上述模片焊盘的外形尺寸小的外形尺寸，且通过模片键合材料被搭载到上述模片焊盘的上述芯片搭载区，

上述多个导电性部件把上述半导体芯片的上述多个电极焊盘与上述多个引线分别电气连接，

上述密封体密封上述半导体芯片、上述多个导电性部件和上述模片焊盘，

上述第一沟和上述第二沟，在平面视图上，分别沿与连接上述芯片搭载区的上述第一角部与上述第二角部的第一对角线交叉的第一方向形成，

上述第三沟和上述第四沟，在平面视图上，分别沿与和上述第一对角线交叉的上述芯片搭载区的第二对角线交叉的第二方向形成，

上述第一沟、上述第二沟、上述第三沟和上述第四沟的每一个，在平面视图上，在从与上述半导体芯片重叠的区域到与上述半导体芯片不重叠的区域形成，

上述半导体芯片的线膨胀系数与上述模片焊盘的线膨胀系数不同，

上述模片键合材料被配置在上述芯片搭载区的上述中央部、上述第一角部、上述第二角部、上述第三角部和上述第四角部。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一沟从上述芯片搭载区的上述第一角部向上述芯片搭载区的上述中央部呈多列地形成；

上述第二沟从上述芯片搭载区的上述第二角部向上述芯片搭载区的上述中央部呈多列地形成；

上述第三沟从上述芯片搭载区的上述第三角部向上述芯片搭载区的上述中央部呈多列地形成；

上述第四沟从上述芯片搭载区的上述第四角部向上述芯片搭载区的上述中央部呈多列地形成。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一沟、上述第二沟、上述第三沟和上述第四沟的每一个都不形成在上述芯片搭载区的上述中央部。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

多列上述第一沟、多列上述第二沟、多列上述第三沟和多列上述第四沟的每一个在上述芯片搭载区内分别配置成相互不交叉。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

在上述模片焊盘的上述上表面上，在上述芯片搭载区的周围形成第五沟，该第五沟具有沿上述芯片搭载区的各边的环状的平面形状。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一、第二、第三和第四沟的每一个的两端与上述第五沟连接。

7.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述模片焊盘的上述下表面从上述密封树脂露出。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一、第二、第三和第四沟的每一个的沟深比上述模片焊盘的厚度浅。