[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，其具有：

基板、

形成于所述基板上的基底层、和

形成于所述基底层上的由氮化物半导体构成的工作层，

所述基底层是层叠有多个氮化物半导体层的层叠体，具有含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的含过渡金属层。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述基底层具有超晶格层，

所述超晶格层是所述含过渡金属层。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，

所述超晶格层包含AlN层和GaN层，

所述超晶格层是所述层叠体中的极化最强的层。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其中，

与所述超晶格层的下侧相接的层，在至少距离上表面0.1μm的范围内包含所述过渡金属。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其中，

所述超晶格层中的晶格常数小的层包含所述过渡金属，所述超晶格层中的晶格常数大的层不包含所述过渡金属。

6.根据权利要求2所述的晶体管，其中，

所述基底层具有AlGaN层，

所述AlGaN层为所述含过渡金属层。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述层叠体具有通过极化特性相互不同的2个层形成的界面，

形成所述界面的2个层中的至少一层是所述含过渡金属层。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述层叠体中的至少1层为AlGaN层，

所述AlGaN层为所述层叠体中的极化最强的层。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中，

所述含过渡金属层为AlGaN层。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述含过渡金属层与所述层叠体的其它层相比碳含量较高。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

相比于所述含过渡金属层较上侧的层不包含所述过渡金属。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

所述过渡金属通过茂金属化合物被导入所述含过渡金属层中，

所述茂金属化合物具有在具有1个以上烷基侧链的2对环戊二烯基之间夹持所述过渡金属的结构，

所述烷基侧链中所含的碳原子的数目为2个以上。

13.一种晶体管的制造方法，其具有以下工序，即，

在基板上形成基底层的工序；以及

在所述基底层上形成由氮化物半导体构成的工作层的工序，其中，

形成所述基底层的工序包括形成含有作为过渡金属的钴、镍、钌、锇、铑及铱中的至少1种的氮化物半导体层即含过渡金属层的工序，

形成所述含过渡金属层的工序包括通过热分解茂金属化合物从而向所述氮化物半导体层中导入所述过渡金属的工序，

所述茂金属化合物具有在具有1个以上烷基侧链的2对环戊二烯基之间夹持所述过渡金属的结构，

所述烷基侧链中所含的碳原子的数目为2个以上。

14.根据权利要求13所述的晶体管的制造方法，其中，

所述茂金属化合物的熔点低于50℃。