[发明专利]薄膜形成装置系统及薄膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜形成装置系统及薄膜形成方法。

背景技术

已知一种在基板上形成薄膜的方法，将基板预先加热之后，运用溅射装置或等离子体增强化学气相沉积装置等形成薄膜。在作为现有技术文件的特开昭59－199036号公报（专利文献1）中记载有该薄膜形成方法。在专利文献1所记载的薄膜形成方法中，一边使在预加热室内对置的基板与加热源相对移动一边加热。通过这样进行加热，获得基板温度的均匀性。

在作为现有技术文件的特开平10－67541号公报（专利文献2）中记载有一种基板的烘焙方法，在该基板的烘焙方法中，基板以放置在辊等基板传送装置的上表面的状态传送到加热室，在加热室内，基板传送装置往返驱动以进行均热处理。在专利文献2所记载的基板的烘焙方法中，加热室内的基板传送装置与加热室后方侧的基板传送装置被控制为同步驱动。

另外，在作为现有技术文件的特开2002－363744号公报（专利文献3）中记载有多层膜制造装置，该多层膜制造装置具有使基板在各室之间移动的基板传送机构。在专利文献3所记载的多层膜制造装置中，在具有溅射成膜部的第一、第三室之间设置有具有高真空排气机构和基板加热机构的第二室。

在第二室中，加热基板的同时对室内进行高真空排气，由此减少来自第一室的残留气体。然后，通过将基板传送到第三室，以减少环境气体相互扩散的状态在基板上形成多层膜。

现有技术文件

专利文献

专利文献1:特开昭59－199036号公报

专利文献2:特开平10－67541号公报

专利文献3:特开2002－363744号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

在特开昭59－199036号公报、特开平10－67541号公报、特开2002－363744号公报所记载的薄膜形成方法中，通过基板传送装置将基板传送到加热室内，并在加热室内中使基板传送装置往返移动，由此进行基板的均热处理。

然而，在以往的薄膜形成装置系统中，在因装置故障而引起异常停止的情况下，各处理室内的基板传送装置以及在各处理室之间使基板移动的基板传送装置同时停止。因此，在加热室内被加热的基板的往返动作也停止，基板以停止于一定的位置的状态在加热室内待机。发明者最新发现的问题是，上述情况的结果是基板的接近加热源的区域被迅速加热而温度变高，在基板面内的局部产生热膨胀不同的区域，由此基板因热裂而破损。

本发明是鉴于上述技术问题提出的，其目的在于提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置系统，能够在各处理室中的任一处理室中发生异常停止的情况下，不停止用于进行基板的均热处理的工作，而使其继续工作，由此减少基板的变形和热裂。

用于解决技术问题的技术方案

本发明第一方面的薄膜形成装置系统包括多个处理室，基板依次经过处理室而被处理，由此在基板上形成薄膜。该薄膜形成装置系统包括：加热室，其是处理室之一，配置有用于加热基板的加热装置以及使基板与加热装置相对移动的驱动装置；膜形成室，其是处理室之一，配置有在加热了的基板上形成薄膜的膜形成装置；控制装置，其用于操作驱动装置。驱动装置被控制装置操作为在从加热室不能传送基板时，使加热室内的基板与加热装置继续相对移动。

在本发明的一实施方式中，驱动装置是基板传送装置，通过基板传送装置的往返动作，使基板与加热装置相对移动。

本发明第二方面的薄膜形成装置系统包括多个处理室，基板依次经过处理室而被处理，由此在基板上形成薄膜。该薄膜形成装置系统包括：膜形成室，其是处理室之一，配置有用于在基板上形成薄膜的膜形成装置；冷却室，其是处理室之一，配置有用于对形成有薄膜的基板进行冷却的冷却装置以及使基板与冷却装置相对移动的驱动装置；控制装置，其用于操作驱动装置。驱动装置被控制装置操作为在从冷却室不能传送基板时，使冷却室内的基板与冷却装置继续相对移动。

本发明第一方面的薄膜形成方法通过依次处理多个工序，在基板上形成薄膜。该薄膜形成方法包括：第一工序，其一边使基板和与基板对置的加热装置相对移动一边加热基板；第二工序，其将加热了的基板传送到薄膜形成位置；第三工序，其在传送到薄膜形成位置的基板上形成薄膜。在不能传送上述第二工序中的基板传时，使在上述第一工序中处理的基板与加热装置继续相对移动。