[发明专利]薄膜形成装置系统及薄膜形成方法无效

专利信息
申请号: 201080065486.7 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102803549A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 钱谷嘉高 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B65G49/06;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/677;H01L31/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 形成 装置 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜形成装置系统,包括多个处理室,基板(16)依次经过所述处理室而被处理,由此在基板(16)上形成薄膜,该薄膜形成装置系统(1)的特征在于,包括:

加热室(3),其是所述处理室之一,配置有用于加热基板(16)的加热装置(20)以及使基板(16)与所述加热装置(20)相对移动的驱动装置;

膜形成室(4,6),其是所述处理室之一,配置有在加热了的基板(16)上形成薄膜的膜形成装置(26);

控制装置(22),其用于操作所述驱动装置;

所述驱动装置被所述控制装置(22)操作为在不能从所述加热室(3)传送基板(16)时,使所述加热室(3)内的基板(16)与所述加热装置(20)继续相对移动。

2.如权利要求1所述的薄膜形成装置系统,其特征在于,所述驱动装置是基板传送装置(12),通过所述基板传送装置(12)的往返动作,使基板(16)与所述加热装置(20)相对移动。

3.一种薄膜形成装置系统,包括多个处理室,基板(19)依次经过所述处理室而被处理,由此在基板(19)上形成薄膜,该薄膜形成装置系统(1)的特征在于,包括:

膜形成室(4,6),其是所述处理室之一,配置有用于在基板(19)上形成薄膜的膜形成装置(26);

冷却室(8),其是所述处理室之一,配置有用于对形成有薄膜的基板(19)进行冷却的冷却装置(21)以及使基板(19)与所述冷却装置(21)相对移动的驱动装置;

控制装置(24),其用于操作所述驱动装置;

所述驱动装置被所述控制装置(24)操作为在不能从所述冷却室(8)传送基板(19)时,使所述冷却室(8)内的基板(19)与所述冷却装置(21)继续相对移动。

4.一种薄膜形成方法,通过依次处理多个工序,在基板(16)上形成薄膜,该薄膜形成方法的特征在于,包括:

第一工序,其一边使基板(16)和与基板(16)对置的加热装置(20)相对移动一边加热基板(16);

第二工序,其将加热了的基板(16)传送到薄膜形成位置;

第三工序,其在传送到所述薄膜形成位置的基板(16)上形成薄膜;

在不能传送所述第二工序中的基板(16)时,使所述第一工序中处理的基板(16)与所述加热装置(20)继续相对移动。

5.一种薄膜形成方法,通过依次处理多个工序,在基板(19)上形成薄膜,该薄膜形成方法的特征在于,包括:

第一工序,其将形成有薄膜的基板(19)传送到冷却位置;

第二工序,其一边使传送到所述冷却位置的基板(19)和与基板(19)对置的冷却装置(21)相对移动一边冷却基板(19);

第三工序,其将冷却了的基板(19)从所述冷却位置传送;

在不能传送所述第三工序中的基板(19)时,使所述第二工序中处理的基板(19)与所述冷却装置(21)继续相对移动。

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