[发明专利]具有精确电流引导的低功率高速差动驱动器

权利要求书

1.一种设备，其包含：

第一前馈电阻器-电容器RC网络，其由差动输入信号的第一部分控制；

第二前馈RC网络，其由差动输入信号的第二部分控制；

第一输入晶体管，其耦合到所述第一前馈RC网络；

第二输入晶体管，其耦合到所述第二前馈网络；

第一输出晶体管，其在其控制电极处耦合到所述第一输入晶体管，其中所述第一

输出晶体管的尺寸与所述第一输入晶体管的尺寸的比率为N比1，且其中N大于1；

第二输出晶体管，其在其控制电极处耦合到所述第二输入晶体管，其中所述第二

输出晶体管的尺寸与所述第二输入晶体管的尺寸的比率为N比1；

第一输出端子，其耦合到所述第一输出晶体管；

第二输出端子，其耦合到所述第二输出晶体管；及

电流源，其耦合到所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第一输出晶体管及所述第二输出晶体管。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备进一步包含：

第一输入端子，其接收所述差动输入信号的所述第二部分；

第二输入端子，其接收所述差动输入信号的所述第一部分；

第一驱动晶体管，其在其第一无源电极处耦合到所述第一输出晶体管，且在其控制电极处耦合到所述第一输入端子；及

第二驱动晶体管，其在其第一无源电极处耦合到所述第二输出晶体管，且在其控制电极处耦合到所述第二输入端子，其中所述第一驱动晶体管的尺寸约与所述第二驱动晶体管的尺寸相同。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述电流源进一步包含第一电流源，且其中所述设备进一步包含：

第二电流源，其耦合到所述第一驱动晶体管的所述第一无源电极；及

第三电流源，其耦合到所述第二驱动晶体管的所述第一无源电极。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备进一步包含旁路电容器，所述旁路电容器耦合在所述第一输出晶体管与所述第二输出晶体管之间。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述设备进一步包含：

第一电阻器，其耦合在所述第一驱动晶体管的所述第一无源电极与所述第一输出晶体管的第一无源电极之间；及

第二电阻器，其耦合在所述第二驱动晶体管的所述第一无源电极与所述第二输出晶体管的第一无源电极之间，其中所述第一电阻器的电阻约与所述第二电阻器相同。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一及第二前馈RC网络各自进一步包含：第三电阻器，其中所述第一电阻器的电阻与所述第三电阻器的电阻的比率为1比N；及

电容器，其并联耦合到所述第三电阻器。

7.根据权利要求6所述的设备，其中来自所述第一及第二前馈RC网络中的每一者的所述电容器分别耦合到所述第二及第一输入端子。

8.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备进一步包含：

第三驱动晶体管，其在其第一无源电极处耦合到所述第一前馈RC网络，且在其控制电极处耦合到所述第二输入端子；及

第四驱动晶体管，其在其第一无源电极处耦合到所述第二前馈RC网络，且在其控制电极处耦合到所述第一输入端子。

9.根据权利要求1所述的设备，其中N为5。

10.一种设备，其包含：

第一前馈RC网络，其由差动输入信号的第一部分控制；

第二前馈RC网络，其由差动输入信号的第二部分控制；

第一NPN晶体管，其在其集电极处耦合到所述第一前馈RC网络，其中所述第一NPN晶体管经二极管方式连接；

第二NPN晶体管，其在其集电极处耦合到所述第二前馈网络，其中所述第二NPN晶体管经二极管方式连接；

第三NPN晶体管，其在其基极处耦合到所述第一NPN，其中所述第三NPN晶体管的尺寸与所述第一NPN的尺寸的比率为N比1，且其中N大于1；

第四NPN晶体管，其在其基极处耦合到所述第二NPN晶体管，其中所述第四NPN晶体管的尺寸与所述第二NPN晶体管的尺寸的比率为N比1；

第一输出端子，其耦合到所述第三NPN晶体管的集电极；

第二输出端子，其耦合到所述第四NPN晶体管的集电极；及

电流源，其耦合到所述第一、第二、第三及第四NPN晶体管的发射极。