[发明专利]光电子半导体器件、照明设备和透镜有效
申请号: | 201080063559.9 | 申请日: | 2010-12-28 |
公开(公告)号: | CN102741738A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | P.布里克 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;G02B27/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;李家麟 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 半导体器件 照明设备 透镜 | ||
技术领域
说明了一种透镜。此外,说明了一种具有这样的透镜的光电子半导体器件以及一种具有这样的光电子半导体器件的照明设备。
背景技术
在文献DE 10 2006 050 880 A1中说明了一种光电子组件和一种照明设备。
发明内容
要解决的任务在于,说明一种透镜,其对与其间隔开的面进行均匀的照射。此外,要解决的任务在于,说明一种具有这样的透镜的半导体组件以及一种具有这样的半导体组件的照明设备。
根据光电子半导体组件的至少一个实施方式,该半导体组件包括具有载体上侧的载体。该载体包括或者优选由陶瓷、玻璃、金属芯板或电路板构成。该载体可以具有用于电接触的设备、例如通孔接触部,并且在载体上侧和/或与载体上侧相对的载体下侧处的部分区域中具有导电涂层。
根据半导体组件的至少一个实施方式,该半导体组件包括至少一个光电子半导体芯片,所述半导体芯片安装在载体上侧处。所述半导体芯片优选地为发光二极管。所述半导体芯片尤其是基于至少一种无机半导体材料。所述半导体芯片可选地包括转换元件,其中该转换元件被安排为把在半导体芯片的有源层中生成电磁辐射至少部分地转换成另一波长的辐射。
根据半导体组件的至少一个实施方式,所述半导体芯片具有尤其是背向载体上侧的辐射透射侧。辐射透射侧是半导体芯片的主侧并且尤其是被定向为与载体上侧平行。另外,由辐射透射侧定义一个平面。尤其是,所述辐射透射侧是该平面的一部分,其中辐射透射侧的主伸展方向处于该平面中。例如,该平面被定向为垂直于半导体芯片的半导体层序列的生长方向,其中该平面与辐射透射侧尽可能相交为使得该平面是辐射透射侧的平衡平面,该平衡平面譬如通过例如在粗糙部的结构上取平均得到。
根据半导体组件的至少一个实施方式,该半导体组件具有至少一个透镜。所述透镜包括辐射出射面,所述辐射出射面是所述透镜的背向载体的界面。该辐射出射面优选地是连续的平滑面,通过所述平滑面,由半导体芯片生成的辐射完全或大部分地离开半导体组件。该透镜优选地具有恰好一个辐射出射面。平滑可以是指,辐射出射面不含角或棱边,和/或是可微分的。该透镜至少对于半导体芯片中生成的辐射的一部分是可透过的、优选为清澈的。可以为辐射出射面的每个点给定高度。该高度是辐射出射面的相应点与由半导体芯片的辐射透射侧定义的平面相距的、在垂直于该平面的方向上测得的距离。
根据半导体组件的至少一个实施方式,该透镜具有最低处(Minimum)。该最低处尤其是位于透镜的中心区域中。该中心区域优选地为凹弯曲的,并且被优选凸弯曲的边缘区域包围。最低处是指,至少在该最低处的局部周围环境中辐射出射面的相对于所述平面而言的高度为最小的。
根据半导体组件的至少一个实施方式,该透镜具有光轴。例如,该光轴被定向为垂直于由半导体芯片的辐射透射侧定义的平面,并且是布置在透镜的至少一个对称平面中的对称轴或直线。该光轴优选地在中心区域、尤其是在最低处穿透透镜的辐射出射面。
根据半导体组件的至少一个实施方式,该透镜具有至少两个局部最高处(Maxima),所述局部最高处优选地处于凸弯曲的边缘区域中。换言之,所述最高处于是与光轴具有比最低处大的距离。最高处是辐射出射面的如下区域:该区域与在辐射出射面处的周围环境相比具有相对于由辐射透射侧定义的平面而言的较大高度。所述最高处从俯视图来看优选地分别位于透镜的角区域中。
根据半导体组件的至少一个实施方式,该透镜具有至少一个、特别优选至少两个连接壁。所述连接壁是透镜的突出的山脊形结构,所述结构从所述最高处中的一个达到辐射出射面的最高处中的另一个。连接壁的脊线相对于由辐射透射侧定义的平面而言高于辐射出射面的最低处并且低于与连接壁接界的最高处。在连接壁的脊线或最高点的区域中,所述连接壁尤其是从截面图来看具有抛物线形的形状。可能的是,最低处完全被连接壁和/或最高处环绕或包围。此外可能的是,脊线尤其是从俯视图来看是直线。
根据半导体组件的至少一个实施方式,每个连接壁都具有鞍点。鞍点高于最低处并且低于与连接壁接界的最高处。鞍点可以是连接壁的脊线的最低点并且同时是辐射出射面沿着光轴径向远离的最高点。
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