[发明专利]用于处理暂时接合的产品晶片的方法

权利要求书

1. 一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：

－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，

－在所述研磨和/或背面磨薄之后，利用用于减小产品晶片的固有应力、尤其是结构上的固有应力的装置来对所述平坦侧进行表面处理。

2. 根据权利要求1的方法，

其特征在于，

所述表面处理在独立的、与背面磨薄分开的、尤其是空间上分开的过程中进行。

3. 根据权利要求1或2之一的方法，

其特征在于，

所述用于减小固有应力的装置的特征在于以下所述特征中的至少一个：

－对平坦侧进行干磨光

－对平坦侧进行湿蚀刻

－对平坦侧进行干蚀刻。

4. 根据上述权利要求之一的方法，

其特征在于，

能通过所述用于减小固有应力的装置来调整产品晶片的固有应力。

5. 根据上述权利要求之一的方法，

其特征在于，

尤其是在载体晶片的特定温度时和/或在载体晶片的温度范围内，所述载体晶片具有与产品晶片的膨胀系数基本上相同的膨胀系数。

6. 根据上述权利要求之一的方法，

其特征在于，

在使用至少部分为、尤其是主要为热塑性的粘合剂的情况下，产品晶片以其与所述平坦侧相对的接触侧与载体晶片暂时连接。

7. 根据上述权利要求之一的方法，

其特征在于，

所述用于减小固有应力的装置这样构成，即所述装置至少部分地移除平坦侧的、尤其是通过研磨和/或背面磨薄而受损的晶体结构的定义层厚度S。

8. 根据上述权利要求之一的方法，

其特征在于，

产品晶片的固有应力通过用于减小固有应力的装置被调整为使得产品晶片在随后的热处理期间朝向载体晶片拱起。

9. 根据权利要求6的方法，

其特征在于，

接触侧的产品晶片具有尤其是嵌入到粘合剂中的拓扑结构。

10. 根据前述权利要求之一的方法，

其特征在于，

在所述表面处理之后尤其是在温度＞50℃、有利地＞75℃、优选＞100℃时进行热方法步骤。

11. 根据前述权利要求之一的方法，

其特征在于，

所述热方法步骤是气相沉积方法步骤，尤其是化学的气相沉积方法步骤。

12. 根据权利要求7的方法，

其特征在于，

所述层厚度S＜10μm、尤其是＜5μm、优选＜3μm、更优选＜1μm、特别优选＜0.5μm。

13. 一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的设备，具有如下特征：

－用于对产品晶片进行研磨和/或背面磨薄的装置，

－用于减小产品晶片的固有应力、尤其是结构上的固有应力的装置。

14. 一种用于执行根据权利要求1至11之一的方法的设备。