[发明专利]光谱纯度滤光片

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年2月12日递交的美国临时申请61/304,115的优先权，其通过参考全文并于此。

技术领域

本发明涉及光谱纯度滤光片，并且例如涉及适于用于光刻设备和/或光刻方法中的光谱纯度滤光片。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC的制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

光刻技术被广泛地看作是制造集成电路和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻技术正变成允许缩小将要制造的集成电路或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷(即，图案应用)的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷(即，应用)图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷(即，应用)的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷(即，可应用的)尺寸的减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷(即，可应用)特征尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在13-14nm范围内，或例如在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。可用的源包括例如激光产生的等离子体源(LPP)、放电等离子体源(DPP)或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于包含等离子体的源收集器模块。例如通过引导激光束到诸如合适材料(例如锡)的颗粒、或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)流等燃料处而形成等离子体。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或室，布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。

例如使用等离子体产生EUV辐射的那些实际应用的EUV源不仅发射想要的“带内”EUV辐射，而且还发射不想要的“带外”辐射。这种带外辐射中最熟知的是深紫外(DUV)辐射范围(100-400nm)。而且，在一些EUV源的情形中，例如激光产生等离子体EUV源中，来自激光器的辐射(通常在10.6μm)带来大量的带外辐射。

在光刻设备中，基于若干个原因期望光谱纯度。一个原因是，抗蚀剂对带外波长辐射敏感，并且因此如果抗蚀剂被曝光到带外辐射下，应用到抗蚀剂的图案的图像品质被损伤。此外，带外辐射红外辐射，例如在一些激光产生等离子体源中的10.6μm辐射，导致不想要的且不需要的图案形成装置、衬底以及光刻设备中的光学元件的升温。这种升温导致这些元件的损伤、其寿命的劣化和/或投影到并应用到涂覆抗蚀剂的衬底上的图案的变形。