[发明专利]光谱纯度滤光片

权利要求书

1.一种光谱纯度滤光片，包括：

材料实体，多个孔延伸通过所述材料实体；

孔布置成抑制具有第一波长的辐射并允许具有第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔，第二波长辐射比第一波长辐射短；

所述材料实体由钨-钼合金或钼-铼合金或钨-铼合金或钨-钼-铼合金形成。

2.如权利要求1所述的光谱纯度滤光片，其中，铼在合金中的原子百分比含量为：

在钼-铼合金中是大约0.1％至大约49％；

在钨-铼合金合金中是大约0.1％至大约27％；以及

在钨-钼-铼合金中是大约0.1％至大约49％。

3.如权利要求1或2所述的光谱纯度滤光片，其中，所述材料实体还包括用于在整体上提高材料实体的再结晶温度的多个纳米颗粒。

4.如权利要求3所述的光谱纯度滤光片，其中，所述纳米颗粒包括下列项中的一个或多个：Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、Y₂O₃、MgO、La₂O₃、Ce₂O₃、SrO以及HfC。

5.如权利要求3或4所述的光谱纯度滤光片，其中，所述纳米颗粒分布在材料实体内的多个层中。

6.一种光谱纯度滤光片，包括：

材料实体，多个孔延伸通过所述材料实体；

孔布置成抑制具有第一波长的辐射并允许具有第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔，第二波长辐射比第一波长辐射短；

所述材料实体由钼或钨形成，并且所述材料实体还包括多个纳米颗粒，用于在整体上提高材料实体的再结晶温度。

7.如权利要求6所述的光谱纯度滤光片，其中，所述纳米颗粒包括下列项中的一个或多个：Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、Y₂O₃、MgO、La₂O₃、Ce₂O₃、SrO以及HfC。

8.如权利要求6或7所述的光谱纯度滤光片，其中，所述纳米颗粒分布在材料实体内的多个层中。

9.如权利要求6-8中任一项所述的光谱纯度滤光片，其中，钼形成钨-钼合金或钼-铼合金或钨-钼-铼合金的一部分，或者其中钨形成钨-钼合金或钨-铼合金或钨-钼-铼合金的一部分。

10.如权利要求9所述的光谱纯度滤光片，其中，铼在所述合金中的原子百分比含量为：

在钼-铼合金中是大约0.1％至大约49％；

在钨-铼合金合金中是大约0.1％至大约27％；以及

在钨-钼-铼合金中是大约0.1％至大约49％。

11.如前述权利要求中任一项所述的光谱纯度滤光片，其中，所述材料实体的孔延伸通过的面包括或设置有区域或层，该区域或层基本上由纯钼或钨形成。

12.如权利要求11所述的光谱纯度滤光片，其中，所述面在使用时配置成面朝包括第一波长和/或第二波长的入射辐射。

13.如前述权利要求中任一项所述的光谱纯度滤光片，其中，所述第二波长辐射的波长基本上等于或短于具有在电磁光谱的EUV部分内的波长的辐射的波长，和/或第二波长在5nm-20nm范围内。

14.如权利要求13所述的光谱纯度滤光片，其中，所述第二波长在13nm-14nm范围内。

15.一种光刻设备或辐射源，具有前述权利要求中任一项所述的光谱纯度滤光片。