[发明专利]半导体晶片收纳容器有效
| 申请号: | 201080062170.2 | 申请日: | 2010-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN102725837A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
| 发明(设计)人: | 永岛刚 | 申请(专利权)人: | 未来儿株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 晶片 收纳 容器 | ||
1.一种半导体晶片收纳容器,其设置有:用于将多片半导体晶片以并列排列的状态收纳的容器主体;在相对于收纳在上述容器主体内的状态的半导体晶片的面垂直的方向上,形成在上述容器主体上的晶片取送开口;为了封堵上述晶片取送开口而以拆装自如的方式从外侧安装在上述晶片取送开口上的盖体;和在上述盖体安装在上述晶片取送开口上的状态下,通过夹在上述盖体侧与上述容器主体侧之间并弹性变形而将上述盖体的缘部与上述晶片取送开口的缘部之间密封的垫圈,其特征在于,
在上述晶片取送开口由上述盖体封闭且上述盖体的缘部与上述晶片取送开口的缘部之间由上述垫圈密封的状态下的上述垫圈的变形量的大小,与将上述晶片取送开口的缘部中的与上述半导体晶片的面平行的缘部密封的区域相比,在将与上述半导体晶片的面垂直的缘部密封的区域内形成得较小,
当使上述盖体在上述晶片取送开口打开的方向上移动时,与上述晶片取送开口的缘部中的相对于上述半导体晶片的面为平行方向的缘部相比,从相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的缘部开始,率先成为使上述容器主体的内外连通的状态。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,上述晶片取送开口形成为大致长方形状。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,上述垫圈的变形量的大小,仅在相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的缘部的中间区域内形成得较小。
4.根据权利要求3所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,在上述晶片取送开口的缘部中的相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的缘部的30%~80%的区域内,与其他区域相比,上述垫圈的变形量的大小形成得较小。
5.根据权利要求2所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,上述垫圈的变形量的大小,在将上述晶片取送开口所具有的相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的两个缘部中的至少一方的缘部密封的部分上,与将与上述半导体晶片的面平行的区域密封的部分相比形成得较小。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,上述垫圈作为整体形成为环状,其内缘侧的部分气密地安装在上述盖体侧,外缘侧的部分相对于上述容器主体侧向上述盖体的闭合方向被按压而使上述垫圈弹性变形。
7.根据权利要求6所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,上述垫圈的外缘侧的部分形成为朝向上述容器主体侧且倾斜突出的檐状。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,使上述垫圈的上述檐状的部分的突出长度在全周范围内恒定地形成,根据部位而改变上述檐状部分的倾斜角度,由此形成上述变形量的大小。
9.根据权利要求7所述的半导体晶片收纳容器,其特征在于,使上述垫圈的上述檐状部分的倾斜角度在全周范围内恒定地形成,根据部位而改变上述檐状部分的突出长度,由此形成上述变形量的大小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





