[发明专利]半导体保护膜形成用膜及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体元件的保护性优异的半导体保护膜形成用膜及使用它的半导体装置。

背景技术

近年来半导体装置小型化、轻量化进一步发展，开发了μBGA（球栅阵列，Ball Grid Array）、CSP（芯片尺寸封装，Chip Size Package）等封装。但是，在μBGA、CSP等封装中，半导体元件为倒装型（フエイスダウン型）、即半导体元件的电路面朝向半导体基板侧的结构，因此是在封装体上部露出半导体元件的背面的形状，在制造封装体或者在搬运封装体时存在半导体元件的端部缺失等问题。作为这些问题的解决对策，提出了在半导体元件背面贴附保护膜的方法（例如，参照专利文献1～3）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-280329号公报

专利文献2：日本特开2007-250970号公报

专利文献3：日本特开2006-140348号公报

发明内容

但是，在这些方法中，由于将粘结剂聚合物成分用于保护膜，所以在利用倒装芯片焊接机等将半导体元件贴装在基板上时，存在留下筒夹（コレツト）痕迹、或防缺陷功能不充分的问题。另外，随着半导体元件和半导体基板薄型化，封装翘曲逐渐成为问题。

本发明的目的是提供半导体元件的保护性优异的半导体保护膜形成用膜以及具有利用其形成的半导体保护膜的翘曲小的半导体装置。

根据本发明，提供一种半导体保护膜形成用膜，其特征在于，是保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于上述基材的面相反的一侧的面的半导体保护膜形成用膜，构成该半导体保护膜形成用膜的树脂组合物含有（A）热固化成分和（B）无机填充剂。

而且，根据本发明，提供一种半导体装置，其特征在于，是利用半导体保护膜保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于上述基材的面相反的一侧的面而得到的半导体装置，上述半导体保护膜由上述半导体保护膜形成用膜的固化物形成。

根据本发明，能够获得半导体元件的保护性优异的半导体保护膜形成用膜以及具有利用其形成的半导体保护膜的翘曲小的半导体装置。

附图说明

上述目的、和其它目的、特征以及优点通过以下叙述的优选的实施方式和与其相关的以下附图进一步明确。

图1是表示制造本发明的半导体装置的方法的一例的流程图。

具体实施方式

本发明的半导体保护膜形成用膜是保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于基材的面相反的一侧的面的半导体保护膜形成用膜，其特征在于，构成该半导体保护膜形成用膜的树脂组合物含有（A）热固化成分和（B）无机填充剂，由此能够进行保护以使得半导体元件不产生缺陷等。另外，本发明的半导体装置是利用半导体保护膜保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于上述基材的面相反的一侧的面而得到的半导体装置，其特征在于，半导体保护膜由上述半导体保护膜形成用膜的固化物形成，由此在采用倒装芯片焊接机等将半导体元件贴装在基板上时能够防止产生筒夹痕迹、缺陷。另外，能够获得翘曲小的半导体装置。在本发明中，对于基材例如可以举出树脂基板、及在树脂基板上层叠有多个半导体元件的结构体等。下面，对本发明的半导体保护膜形成用膜以及半导体装置及其制造方法进行详细地说明。

构成保护膜形成层的树脂组合物（以下也称为“膜树脂组合物”）中树脂成分的重均分子量的下限优选为100以上，更优选为200以上。膜树脂组合物中树脂成分的重均分子量的上限优选为49000以下，更优选为40000以下。通过树脂成分的重均分子量处于上述范围内，既能够维持成膜性又能够在固化后制成玻璃化转变温度高的保护膜形成层。