[发明专利]半导体保护膜形成用膜及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体保护膜形成用膜，其特征在于，是保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于所述基材的面相反的一侧的面的半导体保护膜形成用膜，

构成该半导体保护膜形成用膜的树脂组合物含有（A）热固化成分和（B）无机填充剂。

2.根据权利要求1所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述树脂组合物中树脂成分的重均分子量为100～49000。

3.根据权利要求1或2所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述树脂组合物中所述（B）无机填充剂的含量为60质量%～95质量%。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述树脂组合物进一步含有（C）着色剂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，利用动态粘弹性测定装置在频率10Hz测定的所述半导体保护膜形成用膜固化后在25℃的弹性模量为10GPa～40GPa。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（B）无机填充剂含有粒度分布彼此不同的2种无机填充剂，所述（B）无机填充剂的所述粒度分布分别在1nm～1000nm的范围、1000nm～10000nm的范围各具有至少1个极大点。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（B）无机填充剂含有氧化铝。

8.根据权利要求7所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（B）无机填充剂进一步含有二氧化硅。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（A）热固化成分含有环氧树脂。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（A）热固化成分含有液状环氧树脂。

11.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（A）热固化成分含有液状环氧树脂，所述（B）无机填充剂含有氧化铝。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述（A）热固化成分进一步含有苯氧基树脂。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述半导体保护膜形成用膜用于保护半导体装置中的半导体元件的与电路面相反的一侧的面，

所述半导体装置是半导体元件的电路面朝向半导体布线基板侧的倒装型半导体装置。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体保护膜形成用膜，其中，所述半导体保护膜形成用膜用于保护TSV型即硅通孔型的半导体装置中位于最外侧的半导体元件的电路面，

所述TSV型半导体装置是以面朝上方式层叠多个具有贯通孔且在与电路面相反的一侧的面上形成有电极的半导体元件而形成的。

15.一种半导体装置，其特征在于，是利用半导体保护膜保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于所述基材的面相反的一侧的面而得到的半导体装置，

所述半导体保护膜由权利要求1～14中任一项所述的半导体保护膜形成用膜的固化物形成。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是半导体元件的电路面朝向半导体布线基板侧的倒装型结构。

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是以面朝上方式层叠多个具有贯通孔且在与电路面相反的一侧的面上形成有电极的半导体元件而形成的TSV型即硅通孔型结构。