[发明专利]硅熔体的粗脱碳方法

权利要求书

1.硅熔体的粗脱碳方法，其特征在于，

将载氧体添加到硅熔体中，在所有情况下所述载氧体的添加通过保持时间被中断一次或多次，，然后再继续添加。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述载氧体以固体形式添加，优选以粉末形式添加，和/或所述载氧体是二氧化硅。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

通过气流，优选通过稀有气流，更优选通过氩气流将所述载氧体吹入所述硅熔体中和/或吹在所述硅熔体上。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，

在添加所述载氧体时，所述硅熔体的温度为1500℃-2000℃，优选1600℃-1900℃，更优选1700℃-1800℃。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，

所述载氧体的添加被中断一次或多次，优选一次，中断的保持时间为1分钟-5小时，优选1分钟-2.5小时，更优选5-60分钟。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

在0.1分钟-1小时，优选0.1分钟-30分钟，更优选0.5分钟-15分钟，尤其优选1分钟-10分钟的添加时间之后，所述载氧体的添加被中断。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，

继续添加所述载氧体，直到所述硅熔体的总碳含量小于250ppm，优选小于200ppm，更优选小于150ppm，尤其优选10-100ppm，和/或SiC在所述硅熔体的总碳含量中的重量比例小于20%重量，优选小于10%重量，更优选小于5%重量，最优选小于1%重量。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，

向硅熔体提供起泡剂，优选通过引入气体，更优选通过引入稀有气体，最优选通过引入氩气来实现，或者通过提供形成气体的物质，优选通过提供形成气体的固体，更优选通过提供碳酸铵粉末来实现，最优选通过将碳酸铵粉末添加到所述二氧化硅中来实现，其中基于二氧化硅和碳酸铵的混合物的质量，碳酸铵粉末的重量比例为1%-10%。

9.通过用碳还原SiO₂来制备硅的方法，其特征在于，

通过如权利要求1-8中任一项所述的方法来进行硅熔体的粗脱碳。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述硅是太阳能硅或者半导体硅，和/或使用高纯度二氧化硅和/或高纯度碳。

11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，

在所述粗脱碳之后进行细脱碳，从而将所述硅熔体的总碳含量降低至小于5ppm，优选小于3ppm，更优选小于2ppm，尤其优选降低至0.0001-1ppm。

12.如权利要求1-11中任一项所述的方法，其特征在于，

所述方法是间歇法，和/或在将所述硅熔体排出之前，将所述载氧体添加到还原炉中。

13.如权利要求1-12中任一项所述的方法，其特征在于，

所述方法是连续法，其中在排出所述硅熔体之后，在还原炉外将载氧体添加到硅熔体中。