[发明专利]用于半导体封装应用中的互连导电物薄膜及其相关方法

权利要求书

1.互连导电物薄膜，包含由具有5-150微米厚度的基板承载的多个导电域，所述基板包含：

a)衍生自以下物质的聚酰亚胺：

i)至少一种芳族二酸酐组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，和

ii)至少一种芳族二胺组分，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合；

其中基于所述聚酰亚胺的总二酸酐组分和总二胺组分计，所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比；和

b)亚微米级填料：

i)在至少一个尺寸上小于(数均)550纳米；

ii)具有大于3∶1的长宽比；

iii)在所有尺寸上小于所述基板厚度；并且

iv)以所述基板的10-45体积％的量存在。

2.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于400纳米。

3.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于200纳米。

4.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料选自氧化物、氮化物、碳化物以及它们的组合。

5.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料为针状二氧化钛、滑石、SiC纤维、板形Al₂O₃或它们的混合物。

6.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中

a)至少70摩尔％的芳族二酸酐组分为均苯四酸二酐；并且

b)至少70摩尔％的芳族二胺组分为4，4′-二氨基二苯醚。

7.根据权利要求6的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料为针状二氧化钛、滑石、SiC纤维、板形Al₂O₃或它们的混合物。

8.根据权 利要求1所述的互连导电物薄膜，其中

a)至少75摩尔％的芳族二酸酐组分为均苯四酸二酐；并且

b)70摩尔％的4，4′-二氨基二苯醚和30摩尔％的1，4二氨基苯作为所述芳族二胺组分。

9.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述聚酰亚胺为嵌段共聚物。

10.根据权利要求9的互连导电物薄膜，其中所述嵌段共聚物衍生自4，4′-二氨基二苯醚和1，4二氨基苯与均苯四酸二酐和3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐。

11.根据权利要求9的互连导电物薄膜，其中所述嵌段共聚物衍生自：

a)10-40摩尔％的均苯四酸二酐和1，4二氨基苯嵌段；

b)90-60摩尔％的均苯四酸二酐和4，4′-二氨基二苯醚嵌段。

12.根据权利要求11的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料为针状二氧化钛、滑石、SiC纤维、板形Al₂O₃或它们的混合物。

13.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述亚微米级填料涂覆有偶联剂、分散剂或它们的组合。

14.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述聚酰亚胺为无规共聚物，所述无规共聚物衍生自4，4′-二氨基二苯醚和1，4二氨基苯与均苯四酸二酐和3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐。

15.根据权利要求1的互连导电物薄膜，其中所述聚酰亚胺为无规共聚物，所述无规共聚物衍生自4，4′-二氨基二苯醚和1，4二氨基苯与均苯四酸二酐。