[发明专利]触控面板的触控单元结构及利用该结构的触控面板有效

专利信息
申请号: 201080057623.2 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102667684A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 李圣昊 申请(专利权)人: 李圣昊
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 陈潇潇;南毅宁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 面板 单元 结构 利用
【权利要求书】:

1.一种触控单元结构,所述触控单元结构构成触控面板的单位触控单元(60),其特征在于,该触控单元结构包括:在人体手指(25)或类似的具有电性特征的触控构件接近至一定距离(d)时,与所述触控构件间形成静电电容的导电垫(50);及与所述导电垫(50)上的栅极端连接,因所述触控构件和所述导电垫(50)间的静电电容,在所述栅极端的电位改变时,与其对应并改变输出信号的三端类型切换元件(40)。

2.根据权利要求1所述的触控单元结构,其特征在于,所述切换元件(40)包括:在所述导电垫(50)上,与输出端连接,随施加在栅极端的控制信号进行开/关,并在所述导电垫(50)上切换供给充电信号的三端类型第一切换元件(42);及

在所述导电垫(50)上,与所述栅极端连接,在所述栅极端的电位改变时,与其对应,改变输出信号的第二切换元件(44)。

3.根据权利要求2所述的触控单元结构,其特征在于,所述触控单元结构还包括:连接在所述第一切换元件(42)及所述第二切换元件(44)各个控制端和输出端之间的电容(C1,C2)。

4.根据权利要求3所述的触控单元结构,其特征在于,连接在所述第一切换元件(42)的控制端和输出端之间的电容(C1)为10fF至100uF。

5.根据权利要求3所述的触控单元结构,其特征在于,连接在所述第一切换元件(42)的控制端和输出端之间的电容(C1)选为小于触控构件和所述导电垫(50)之间的静电电容(Ct)两倍乃至数百倍的值。

6.根据权利要求3所述的触控单元结构,其特征在于,连接在所述第一切换元件(42)的控制端和输出端之间的电容(C1)选为大于触控构件和所述导电垫(50)之间的静电电容(Ct)的值。

7.根据权利要求3所述的触控单元结构,其特征在于,所述电容(C1,C2)内置在所述第一切换元件(42)及所述第二切换元件(44)上。

8.根据权利要求3所述的触控单元结构,其特征在于,所述电容(C1,C2)设置在所述第一切换元件(42)及所述第二切换元件(44)的外部。

9.根据权利要求3所述的触控单元结构,其特征在于,在所述第二切换元件(44)的输入端和控制端之间,还连接着电容(C3)。

10.根据权利要求1至9中任意一项权利要求所述的触控单元结构,其特征在于,所述导电垫(50)和接地之间,还设置有辅助电容器(54)。

11.根据权利要求1至9中任意一项权利要求所述的触控单元结构,其特征在于,所述切换元件(40)为以下至少一者:继电器(Relay)、MOS开关(Metal Oxide Semiconductor开关)、双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)、场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)、金属氧化半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。

12.一种触控面板,其特征在于,该触控面板包括:透光性基板(30);

呈矩阵形排列在所述透光性基板(30)上,包括导电垫(50)及与所述导电垫(50)上的栅极端连接,因人体手指(25)或类似具有电性特性的触控构件和所述导电垫(50)间的静电电容,在所述栅极端的电位改变时,与其对应并改变输出信号的三端切换元件(40)的触控单元(60);及

自所述切换元件(40)的输出,识别触控输入的触控位置检测部(70)。

13.根据权利要求12所述的触控面板,其特征在于,所述切换元件(40)包括:在所述导电垫(50)上,与输出端连接,随施加在栅极端的控制信号进行开/关,并在所述导电垫(50)上切换供给充电信号的三端第一切换元件(42);及

在所述导电垫(50)上,与所述栅极端连接,在所述栅极端的电位改变时,与其对应,改变输出信号的第二切换元件(44)。

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