[发明专利]改进的EDRAM架构

权利要求书

1.一种用于制造嵌入式动态随机存取eDRAM装置的方法，所述方法包含：

在半导体衬底上制造半导体特征，所述半导体衬底包括eDRAM区域及逻辑区域；

在所述逻辑区域中制造第一导电层，所述第一导电层与所述半导体特征的第一群组连通；及

在制造所述第一导电层之后，制造与所述eDRAM区域内的所述半导体特征的第二群组连通的存储组件。

2.根据权利要求1所述的用于制造eDRAM装置的方法，其进一步包含：

在制造所述存储组件之后制造第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层连通。

3.根据权利要求2的用于制造eDRAM装置的方法，其中所述半导体特征包含多个晶体管组件，且其中所述第二导电层包含位线。

4.根据权利要求2所述的用于制造eDRAM装置的方法，其进一步包含：

在制造所述第二导电层之前在所述第一导电层上方制造通孔，所述通孔在所述第一导电层与所述第二导电层之间提供连通。

5.根据权利要求1所述的用于制造eDRAM装置的方法，其中制造所述半导体特征包含：

制造与所述半导体衬底上的门连通的第一触点；及

制造与所述第一触点连通的第二触点。

6.根据权利要求5所述的用于制造eDRAM装置的方法，其中制造所述第一导电层包含：

在所述第二触点中的第一者上制造柱，所述第二触点中的所述第一者待与所述第一触点中的第一者连通。

7.根据权利要求1所述的用于制造eDRAM装置的方法，其中制造所述存储组件包含：

在所述半导体特征上方的氧化物层中制造电容器。

8.根据权利要求1所述的用于制造eDRAM装置的方法，其进一步包含：

将所述eDRAM装置并入到选自由下列组成的群组的系统中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元、游戏控制台及计算机。

9.一种用于制造eDRAM装置的方法，所述方法包含以下步骤：

在半导体衬底上制造半导体特征，所述半导体衬底包括DRAM区域及逻辑区域；

在所述DRAM区域中及在所述逻辑区域中制造第一导电层，所述第一导电层与所述半导体特征的第一群组连通；及

在制造所述第一导电层之后，制造与所述DRAM区域内的所述半导体特征的第二群组连通的存储组件。

10.根据权利要求9所述的用于制造eDRAM装置的方法，其进一步包含以下步骤：

将所述eDRAM装置并入到选自由下列组成的群组的系统中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元、游戏控制台及计算机。

11.一种集成电路，其包含：

嵌入式动态随机存取DRAM部分及逻辑部分；

制造于半导体衬底上的在所述eDRAM部分及所述逻辑部分内的多个半导体结构；

第一导电层，其安置于所述逻辑部分中的所述多个半导体结构上方；及

与所述第一导电层安置于实质上相同的层级处的存储装置，所述存储装置与在所述eDRAM部分中的所述半导体结构中的至少一些连通。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其进一步包含：

第二导电层，其安置于所述存储装置及所述第一导电层上方，所述第二导电层与所述第一导电层连通。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中所述第二导电层包含位线。

14.根据权利要求11所述的集成电路，其并入到选自由下列组成的群组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元、游戏控制台及计算机。

15.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述集成电路集成到半导体裸片中。

16.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述第一导电层包含与所述半导体结构中的至少一者连通的至少一个柱。

17.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述至少一个柱安置于第一位线触点与第二位线触点之间。