[发明专利]元件搭载用基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及元件搭载用基板及其制造方法，特别是涉及耐硫化性良好的元件搭载用基板及用于制造该元件搭载用基板的制造方法。

背景技术

近年来，伴随着电子设备的高密度安装化和处理速度的高速化，普遍采用具有低介电常数且低布线电阻的优良特性的低温烧成陶瓷基板(LTCC基板)。此外，作为用于搭载如发光二极管(LED)元件等发光元件的元件搭载用基板，正在研究LTCC基板的应用。

LTCC基板是在比一般的陶瓷基板的烧成温度低的800～1000℃左右的温度下烧成的基板，通过将由玻璃与氧化铝填料、氧化锆填料等陶瓷填料形成的生片以规定的块数重叠并用热压接一体化后进行烧成来制作。

在这样的LTCC基板的表面，作为连接端子(电极)，形成有对以由银或铜形成的导体金属为主体的糊料进行烧成而得的厚膜导体层。在厚膜导体层的表面形成有例如由镍镀层和金镀层形成的镀覆层(镍层/金镀层)来改善引线接合性、密合强度、耐候性等。通过形成这样的镀覆层，特别是可使耐硫化性提高，能够抑制因与空气等中的硫成分的反应而产生的厚膜导体层的变色(例如参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本实用新型实公平2-36278号公报

专利文献2：日本专利特开2002-314230号公报

发明的概要

发明所要解决的技术问题

另外，一般厚膜导体层的厚度设为5～15μm左右，形成于其上的镀覆层、特别是镍镀层的厚度被设为5～15μm左右。然而，难以准确控制镍镀层的厚度，有时会形成得比预想厚。如果镍镀层形成得较厚，则会对厚膜导体层造成过度的拉伸应力，其端部可能会从LTCC基板剥离。该情况下，空气中的水分侵入LTCC基板与厚膜导体层的间隙，厚膜导体层中的银顺着端部扩散至镀覆层的表面，特别是最表层的金镀层上。

以这样的状态将元件搭载用基板置于硫化性环境下时，扩散至最表层的金镀层上的银被硫化，引线接合性等可能会下降。此外，金镀层的表面呈黑色导致反射率下降，作为搭载发光元件等的基板并不一定理想。

为了解决上述课题，本发明的目的在于提供厚膜导体层的剥离得到抑制、耐硫化性良好的元件搭载用基板。此外，本发明的目的还在于提供这样的耐硫化性良好元件搭载用基板的制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的元件搭载用基板的特征在于，包括：低温烧成陶瓷基板；形成于所述低温烧成陶瓷基板的表面的由以银为主体的金属构成的厚膜导体层；被覆所述厚膜导体层的边缘部，且与位于所述边缘部外侧的所述低温烧成陶瓷基板结合的由低温烧成陶瓷形成的被覆部；形成于所述厚膜导体层的表面的由导电性金属构成的镀覆层。

较好是所述被覆部中形成于所述厚膜导体层上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.05～0.2mm的位置为止的区域，所述被覆部中形成于所述低温烧成陶瓷基板上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧至少0.2mm的位置为止的区域。

较好是所述被覆部中形成于所述厚膜导体层上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.03～0.2mm的位置为止的区域，所述被覆部中形成于所述低温烧成陶瓷基板上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧至少0.2mm的位置为止的区域。

较好是在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.05mm的位置为止的部分和从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧0.2mm的位置为止的部分，所述被覆部从所述低温烧成陶瓷基板起算的高度为0.04～0.2mm。

较好是在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.03mm的位置为止的部分和从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧0.2mm的位置为止的部分，所述被覆部从所述低温烧成陶瓷基板起算的高度为0.02～0.2mm。

所述被覆部较好是设置在所述厚膜导体层的整个边缘部周围，还较好是由与所述低温烧成陶瓷基板同样的材料形成。较好是所述镀覆层为包括镍镀层和形成于其上的金镀层的2层结构。