[发明专利]元件搭载用基板及其制造方法

权利要求书

1.元件搭载用基板，其特征在于，包括：

低温烧成陶瓷基板；

形成于所述低温烧成陶瓷基板的表面的由以银为主体的金属构成的厚膜导体层；

被覆所述厚膜导体层的边缘部，且与位于所述边缘部外侧的所述低温烧成陶瓷基板结合的由低温烧成陶瓷形成的被覆部；

形成于所述厚膜导体层的表面的由导电性金属构成的镀覆层。

2.如权利要求1所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述被覆部中形成于所述厚膜导体层上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.05～0.2mm的位置为止的区域，所述被覆部中形成于所述低温烧成陶瓷基板上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧至少0.2mm的位置为止的区域。

3.如权利要求1所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述被覆部中形成于所述厚膜导体层上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.03～0.2mm的位置为止的区域，所述被覆部中形成于所述低温烧成陶瓷基板上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧至少0.2mm的位置为止的区域。

4.如权利要求2所述的元件搭载用基板，其特征在于，在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.05mm的位置为止的部分和从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧0.2mm的位置为止的部分，所述被覆部从所述低温烧成陶瓷基板起算的高度为0.04～0.2mm。

5.如权利要求3所述的元件搭载用基板，其特征在于，在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧0.03mm的位置为止的部分和从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧0.2mm的位置为止的部分，所述被覆部从所述低温烧成陶瓷基板起算的高度为0.02～0.2mm。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述被覆部设置在所述厚膜导体层的整个边缘部周围。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述被覆部由与所述低温烧成陶瓷基板同样的材料形成。

8.如权利要求1～7中的任一项所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述镀覆层为镍层和形成于其上的金镀层的2层结构。

9.元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，包括：

在由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物形成的未烧成基板的表面形成由以银为主体的金属的糊料构成的未烧成厚膜导体层的工序；

以横跨所述未烧成厚膜导体层的边缘部和位于所述边缘部外侧的所述未烧成基板的方式，形成由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物构成的未烧成被覆部的工序；

对形成有所述未烧成厚膜导体层和所述未烧成被覆部的所述未烧成基板进行烧成，制造具有厚膜导体层和被覆部的基板的工序；

在所述厚膜导体层的表面形成由导电性金属构成的镀覆层的工序。

10.如权利要求9所述的元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，所述未烧成被覆部由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物的生片形成。