[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带(粘着テ一プ)。进一步详细地说，涉及在将半导体晶片磨削成薄膜时所使用的半导体晶片表面保护用胶带。 

背景技术

半导体封装件通过下述方法制造：对高纯度单晶硅进行切片从而得到半导体晶片，然后通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面上形成集成电路，由此来制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，能够将半导体晶片制成所需的厚度。此时，为了保护形成于半导体晶片表面上的集成电路而使用半导体晶片表面保护用胶带。背面磨削结束后，将经背面磨削的半导体晶片收纳于晶片盒中，运送至切割工序，加工成半导体芯片。 

过去已经利用背面磨削将半导体晶片的厚度削薄至200～400μm左右。但是，伴随着近年来高密度安装技术的进步，产生了将半导体芯片小型化的需要，半导体晶片正在向减薄化发展。根据半导体芯片的种类，需要将其削薄至100μm左右。另外，为了增加一次加工所能够制造的半导体芯片的数量，晶片的直径也倾向于大型化。至今为止，直径为5英寸和6英寸的晶片为主流，与此相对，近年来的主流变成由直径为8～12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片。 

半导体晶片的减薄化和大直径化的趋势特别在NAND型或NOR型所存在的快闪存储器的领域、或作为易失性存储器的DRAM等领域中显示出了明显的倾向。例如，使用直径12英寸的半导体晶片，并将其磨削至150μm的厚度以下的情况也是不稀奇的。在将大口径的半导体晶片磨削至薄壁的情况下，晶片的刚性下降，容易产生翘曲。 

通常，利用机器手臂将半导体晶片从称作晶片盒的专用箱中逐片取出，并由位于磨削机器内的半导体晶片固定用夹具保持，由此来进行背面磨削。利用机器手臂将经背面磨削的半导体晶片收纳于晶片盒中，并输送至下一工序。在由半导体晶片固定用夹具保持时，若半导体晶片的翘曲大，则会出现半导体晶片无法良好地吸附的情况， 甚至最差的情况下半导体晶片会破损。另外，收纳至晶片盒时，若半导体晶片的翘曲大，则存在机器手臂与收纳后的半导体晶片接触从而使半导体晶片破损的问题。 

于是，提出了从背面磨削工序至切削带安装工序整体实施而并非将磨削后的薄型晶片收纳于晶片盒这样的装置(串联装置)。另外，提出了通过提高晶片固定用夹具和机器手臂等的性能，使晶片即使发生翘曲也不易受其影响的方法。 

另一方面，提出了在将半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片上时，通过降低施加在半导体晶片上的应力来减少半导体晶片的翘曲的方法。例如，在专利文献1中，提出了由基材和设置在该基材的应力缓和性膜上的粘合剂层构成的半导体晶片加工用粘合片，所述基材是由刚性膜与应力缓和性膜隔着可剥离的粘接剂层层积而成的。 

另外，专利文献2中，提出了在基材和粘合剂层之间存在具有特定范围的储存弹性模量的中间层的加工用粘合片；在专利文献3中，提出了基材膜至少由3层构成、且该基材膜的表面背面的最外层与内层的储存弹性模量分别在特定范围内的半导体晶片保护用粘合膜。进一步，在专利文献4中，提出了层积有特定材料的多层片材。 

但是，使用专利文献1的半导体晶片表面保护用胶带时，在进行完半导体晶片加工之后，需要在可剥离的粘接剂层与刚性膜的界面、可剥离的粘接剂层与应力缓和性膜的界面、或构成可剥离的粘接剂层的内部进行剥离这样繁杂的工序。另外，粘合剂层和应力缓和层重叠有多层，缓冲性过剩，因此在将半导体晶片磨削至50μm厚以下的情况下很有可能产生晶片断裂。 

另外，将专利文献2的半导体晶片加工用粘合片的半导体晶片保护用粘合片贴合于形成有聚酰亚胺膜的半导体晶片，并进行半导体晶片的背面磨削的情况下，半导体晶片的厚度达到100μm以下时，涂布于半导体晶片表面上的绝缘膜收缩，从而导致半导体晶片自身也产生翘曲。该情况下，将半导体晶片保持在晶片固定用夹具时，会出现半导体晶片掉落的问题。 

进一步，将专利文献3的半导体晶片加工用粘合片贴合于形成有聚酰亚胺膜的半导体晶片，并进行半导体晶片的背面磨削的情况下，虽然在输送带有粘合片的晶片的方面没有问题，但是在将半导体晶片磨削至50μm厚度以下的薄膜的情况下，有时会产生边缘裂缝或晶片断裂。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2003-261842号公报 

专利文献2：日本特开2004-107644号公报 

专利文献3：日本特开2002-69396号公报 

专利文献4：日本特开2006-264296号公报 

发明内容