[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带

权利要求书

1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其具有基材树脂膜和隔着中间树脂层位于该基材树脂膜上的直接粘合剂层，所述中间树脂层是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基础树脂成分交联而成的，

其中，以下述条件(a)～(d)对该半导体晶片表面保护用胶带进行测定，由测得的环刚度的负载荷重求出反弹力α，反弹力α为13mN/mm以下，每单位宽度的反弹力α除以基材厚度β的平方所得到的反弹系数γ为100mN/mm³以上，并且，纵向与横向的拉伸断裂伸长率之差为35%以下，

(a)装置

商品名为环刚度试验机，东洋精机社制；

(b)圆环试验片形状

长度为50mm以上，宽为10mm；

(c)压头的压入速度

3.3mm/sec；

(d)压头的压入量

从压头与圆环接触的时刻开始压入5mm。

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的丙烯酸聚合物具有羟基和羧基。

3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的聚氨酯丙烯酸酯具有羟基和羧基。

4.如权利要求1～3任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述中间树脂层的交联后的玻璃化转变温度为-10℃～30℃。

5.如权利要求1～4任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述基材树脂膜为聚酯树脂膜。

6.如权利要求5所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述聚酯树脂膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。

7.如权利要求5或6所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述聚酯树脂膜的厚度为25μm～75μm。

8.如权利要求1～7任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述半导体晶片表面保护用胶带为压敏型胶带，在20～25℃对于SUS研磨面的粘合力为0.5N/25mm以上，并且在50℃对于SUS研磨面的粘合力为0.5N/25mm以下。

9.如权利要求8所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，构成所述粘合剂层的基础树脂的重均分子量为100万以上。

10.如权利要求1～7任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层的粘合力通过照射放射线而变低。

11.如权利要求10所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述粘合剂层是使用以下述聚合物作为主要成分的基础树脂构成的，所述聚合物相对于主链具有1个以上的含放射线聚合性碳-碳双键的基团且含有丙烯酸系单体作为结构单元。