[发明专利]电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装体的制造方法、电子装置封装体

说明书

技术领域

本发明涉及电子装置的制造方法、电子装置、电子装置封装体的制造方法、电子装置封装体。

背景技术

伴随着近年来电子设备的高功能化以及轻薄短小化的要求，电子部件的高密度集成化、进而高密度安装化发展起来。

作为用于实现高密度安装的半导体装置，提出了配置有在基板上搭载第一半导体元件、进一步在第一半导体元件的上方搭载第二半导体元件的基板的封装体叠层（POP）结构的半导体封装体。

作为具备在这种POP结构的半导体封装体中使用的第一半导体元件的半导体装置，提出了如图8所示的结构（例如，参照专利文献1）。

图8的半导体装置具备基板900和设置在该基板900上的第一半导体元件901，第一半导体元件901被成型材料902覆盖。在成型材料902中形成孔，在孔中填充有导电材料903。

专利文献1：日本特表2009-520366号公报

发明内容

通常成型材料902的孔通过向成型材料902照射激光而形成。但是，在照射激光时，难以正确地调整激光的强度、照射时间而使基板900表面被激光切削，从而难以获得可靠性高的半导体封装体。

根据本发明提供电子装置的制造方法，其中包括以下工序：在基材上配置电子部件的工序；在上述基材的配置有上述电子部件的面上立起设置含有热分解性的树脂而构成的立设部的工序；以包埋上述电子部件、覆盖上述立设部的周围且从表面露出上述立设部的一部分的方式设置密封件的工序；加热上述立设部而分解并除去上述立设部，从而形成贯通上述密封件的孔的工序；在上述孔内设置导电体的工序。

在该发明中，在设有电子部件的基板上设置立设部，以覆盖立设部的周围且从表面露出立设部的一部分的方式设置密封件。之后，加热立设部来热分解，由此在密封件中形成孔。

因此，能够不用激光切削基板表面而获得可靠性高的电子装置。

进而，根据本发明还能够提供采用上述制造方法制造的电子装置。

另外，根据本发明还能够提供电子装置封装体的制造方法，是层叠有采用上述制造方法制造的电子装置和其它电子装置的电子装置封装体的制造方法，所述制造方法包括以下工序：以采用上述制造方法制造的上述电子装置的上述导电体与形成在上述其它电子装置的电极相接触的方式，在上述电子装置上搭载上述其它电子装置，从而获得由上述电子装置和上述其它电子装置构成的层叠体的工序；通过加热上述层叠体来将上述导电体与上述其它电子装置的上述电极接合的工序。进而，还能够提供采用该电子装置封装体的制造方法制造的电子装置封装体。

根据本发明，可以提供能够获得可靠性高的电子装置的电子装置的制造方法、电子装置、进而电子装置封装体的制造方法、电子装置封装体。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的电子装置的制造工序的工序截面图。

图2是表示在电子装置中使用的立设部配置的平面图。

图3是表示电子装置的制造工序的工序截面图。

图4是表示电子装置的制造工序的工序截面图。

图5是表示电子装置的制造工序的工序截面图。

图6是表示电子装置封装体的制造工序的工序截面图。

图7是表示本发明的变形例的截面图。

图8是表示以往的电子装置的图。

具体实施方式

下面，基于图1～图6说明本发明的实施方式。

首先，对于本实施方式的概要进行说明。

本实施方式的电子装置的制造方法包括以下工序：在基材（基板）11上配置电子部件10的工序；设置含有热分解性的树脂而构成的立设部13，所述立设部13在上述基材11的配置有上述电子部件10的面上立起设置的工序；以包埋上述电子部件10、覆盖上述立设部13的周围且从表面露出上述立设部13的一部分的方式设置密封件14的工序；加热上述立设部13而分解并除去上述立设部13，从而形成贯通上述密封件14的孔141的工序；在上述孔141内设置导电体15的工序。

在此，本实施方式中，电子装置是半导体装置1，电子部件是半导体芯片10。

接着，对于本实施方式的电子装置的制造方法详细地进行说明。

首先，如图1（A）所示，在基板11上安装半导体芯片10。

基板11是半导体芯片搭载用的基板，是所谓的两面电路基板或者多层电路基板。该基板11可以仅由芯层构成，也可以在芯层的表面背面层叠有增层，另外，还可以仅由增层构成。