[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，其包含具漏极、栅极和源极的场效应晶体管，其中所述漏极和所述源极由第一类型的半导体区域形成，并且其中在所述栅极和所述漏极之间设置另一掺杂区域。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中允许所述另一掺杂区域在使用中达到介于源极电压和漏极电压之间的电压。

3.如权利要求1所述的电子器件，其中所述另一掺杂区域形成中间漏极区。

4.如权利要求3所述的电子器件，其中所述另一掺杂区域是所述第一类型的区域。

5.如权利要求1所述的电子器件，其中所述栅极由与所述第一类型相反的第二类型的区域形成。

6.如权利要求1所述的电子器件，其中所述晶体管是结型场效应晶体管。

7.如权利要求1所述的电子器件，其中所述漏极和所述另一掺杂区域中的至少一个在其面向所述场效应晶体管的沟道的一侧具有减小的掺杂浓度的经改变的掺杂分布。

8.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第一类型的区域是N型半导体。

9.如权利要求1所述的电子器件，其中在半导体材料的结隔离阱和半导体材料的绝缘阱其中之一中形成所述场效应晶体管。

10.如权利要求1所述的电子器件，其中所述漏极和所述另一掺杂区域通过所述晶体管的沟道的一部分彼此分离。

11.一种场效应晶体管，其包含源极、沟道和漏极，其中在所述沟道中邻近所述漏极地形成中间漏极。

12.如权利要求11所述的场效应晶体管，其中所述中间漏极具有与所述漏极基本上相同的掺杂浓度和类型。

13.一种形成包含场效应晶体管的电子器件的方法，所述方法包括：

掺杂半导体区域以形成源极、漏极和沟道；以及

在所述沟道中邻近所述漏极地形成另一掺杂区域。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述另一掺杂区域具有注入其中与漏极区域相同的杂质。

15.如权利要求13所述的方法，还包括提供用于同时掺杂源极、漏极和另一掺杂区域的单一掩模。

16.一种场效应晶体管，其具有源极区以及第一漏极区和第二漏极区，其中所述第二漏极区介于所述第一漏极区和所述源极区之间，并与所述第一漏极区和所述源极区分离。

17.如权利要求16所述的场效应晶体管，其中允许第二漏极在使用中浮置到介于源极电压和第一漏极电压之间的电压。

18.如权利要求16所述的场效应晶体管，其中第二漏极具有接触部，并且能被电路驱动至介于所述源极和所述第一漏极的电压之间的电压。