[发明专利]电涌保护器件

权利要求书

1.一种电涌保护器件(200)，包括：第一传导类型的半导体基板(210)，所述半导体基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板还包括第一表面处的第一结器件和第二表面处的第二结器件，其中第一结与第二结由半导体基板的体块分离开，其中第一结器件和第二结器件被布置为，使得在暴露于电涌脉冲下时第一和第二结器件产生在半导体基板的第一表面与第二表面之间延伸的电场。

2.根据权利要求1所述的电涌保护器件，其中，每个结器件被布置为产生所述电场的近似一半电场。

3.根据权利要求1或2所述的电涌保护器件(200)，其中，第一结器件的结包括扩散到第一表面中的传导类型相反的第一杂质区(202)和第二杂质区(204)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的电涌保护器件(200)，其中，第二结器件的结包括扩散到第二表面中的传导类型相反的第三杂质区(212)和第四杂质区(214)。

5.根据权利要求4所述的电涌保护器件(200)，其中，第二杂质区(204)和第四杂质区(214)由半导体基板(210)的体块分离开，第二和第四杂质区具有与第一传导类型相反的传导类型。

6.根据权利要求1所述的电涌保护器件(200)，其中，第一结器件和第二结器件中的至少一个包括肖特基二极管。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的电涌保护器件(200)，其中，第一结器件包括双极晶体管，第一杂质区(202)限定了所述双极晶体管的发射极，第二杂质区(204)限定了所述双极晶体管的基极，所述电涌保护器件还包括：

扩散到第一表面中的体块触点(206)，所述体块触点通过半导体基板(210)的体块的一部分与双极晶体管的基极分离开；以及

第一表面处的金属部分(225)，将所述体块触点与所述基极连接。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电涌保护器件(200)，其中，半导体基板(210)是硅基板。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的电涌保护器件(200)，其中，第一表面和第二表面中的至少一个承载至相应结器件的金属连接(220、230)，其中所述金属具有超过预定阈值的热传导率。

10.根据前述权利要求中任一项所述的电涌保护器件(200)，还包括：在第一表面处的另一第一结器件，具有取向与第一表面平行的结，所述另一第一结器件相对于第一结器件具有横向位移；以及

在第二表面处的另一第二结器件，具有取向与第二表面平行的结，所述另一第二结器件相对于第二结器件具有横向位移，所述另一第一结器件与另一第二结器件由半导体基板的体块分离开。

11.一种包括权利要求1-10中任一项所述的电涌保护器件(200)的装置。

12.根据权利要求11所述的装置，还包括：第一引线框(130)和第二引线框(120)，其中，电涌保护器件(200)的第二表面安装在第二引线框上，使得第二结器件直接连接至第二引线框，

其中，第一结器件通过接合线(110)电连接至第一引线框。

13.根据权利要求12所述的装置，还包括：第三引线框(140)，其中电涌保护器件还包括相对于第一结器件具有横向位移的另一第一结器件，所述另一第一结器件通过另一接合线(110)电连接至第三引线框。

14.根据权利要求12所述的装置，还包括：第三引线框(140)，其中电涌保护器件还包括相对于第二结器件具有横向位移的另一第二结器件，所述另一第二结器件直接连接至第三引线框。