[发明专利]半导体继电器有效

专利信息
申请号: 201080045218.9 申请日: 2010-10-07
公开(公告)号: CN102656803A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 星野就俊;藤原嘉宏;芝野贵史;高真祐 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03K17/78 分类号: H03K17/78;H01L31/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 继电器
【权利要求书】:

1.一种半导体继电器,具有:

2个MOSFET,以寄生二极管的朝向彼此相反的方式相互串联连接;

发光元件,具有一对端子,在该端子之间输入规定的电力而进行发光;

受光驱动元件,根据所述发光元件的发光的有无,分别对所述2个MOSFET进行导通截止驱动;

2个输出导电板,分别由导电材料形成,分别与所述2个MOSFET的串联电路的各一端电连接;

2个输入导电板,分别由导电材料形成,分别与所述发光元件的各1个端子电连接;以及

密封树脂,分别将所述2个MOSFET、所述发光元件、所述受光驱动元件、所述2个输出导电板及所述2个输入导电板密封;

所述2个输出导电板和所述2个输入导电板分别具有端子部,该端子部向所述密封树脂的外侧突出而被安装到彼此共用的印刷布线板上,

所述2个输出导电板分别具有安装部,在该安装部上分别安装有所述2个MOSFET之中的各1个,或连结有各2个MOSFET的漏电极,

所述各安装部分别以厚度方向与所述印刷布线板的厚度方向交叉的朝向被所述密封树脂密封。

2.根据权利要求1所述的半导体继电器,

所述2个MOSFET被集成在1个芯片上。

3.根据权利要求1所述的半导体继电器,

所述2个MOSFET分别被表面安装在各所述输出导电板上。

4.根据权利要求1所述的半导体继电器,

所述2个MOSFET相互的连接点通过直接的引线接合与所述受光驱动元件电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体继电器,

具有中央导电板,该中央导电板由导电材料构成且呈扁平形状,所述受光驱动元件被固定在中央导电板上,中央导电板以厚度方向与所述印刷布线板的厚度方向交叉的朝向被所述密封树脂密封,

所述2个MOSFET的相互的连接点和所述受光驱动元件分别通过引线接合与中央导电板电连接。

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