[发明专利]去除卤素的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件。更具体地，本发明涉及在加工期间需要使用卤素加工晶片的半导体器件的生产。

背景技术

在半导体器件的生产中，在加工工具中加工晶片，加工晶片可导致残留的加工气体，断片(segment)和副产物留在晶片表面上。这些残留物可包括，但不局限于含卤素的物质。

去除残留物的一个方法是通过用微波或电感耦合等离子体源在后续剥离器处理已加工的晶片。后续剥离器模块可作为加工工具中的一个模块。然后，将已加工的晶片放到后续剥离器模块中，去除/减少已加工晶片表面上的卤化物。然而，这个剥离过程发生在在真空加工工具内部加工之后。因此，后续剥离器模块占据加工工具中的一个有用点。后续剥离器模块使用加工工具中的这个点是指该点不能用于另一加工室中，从而导致晶片加工产量降低。

发明内容

为了获得上述并根据本发明的目的，提供了加工晶片的方法。将晶片提供到入口真空交换室(entrance load lock chamber)中。在入口真空交换室中生成真空。将晶片从入口真空交换室传送到加工工具。在加工工具的加工室中加工该晶片以提供已加工晶片，其中该加工在晶片表面形成卤素残留物。在加工该晶片之后在加工室中对晶片进行脱气步骤。将该已加工的晶片转移到脱气室，其中在该脱气室中保持真空。在脱气室中用UV照射(light)和包含臭氧，氧气或H₂O中至少一种的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

提供了加工晶片的方法。将晶片提供到入口真空交换室中。在入口真空交换室中生成真空。将晶片从入口真空交换室传送到加工工具。在加工工具的加工室中加工该晶片以提供已加工晶片，其中该加工在晶片上形成卤素残留物。将该已加工的晶片转移到脱气室。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H₂O中至少一个的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

在本发明的另一实施方式中，提供了加工硅晶片的方法。将硅晶片提供到入口真空交换室中。在入口真空交换室中生成真空。将晶片从入口真空交换室传送到加工工具。实施晶片的蚀刻。实施含氟晶片加工，其将卤素残留物留在晶片上。在加工室中对晶片进行脱气步骤，其中该脱气步骤去除至少部分卤素残留物，其中该在加工室中对晶片进行脱气步骤，包括提供含至少5％氧气的无卤气体并从该含至少5％氧气的气体中形成等离子体。将该晶片转移到脱气室，其中在脱气室中保持真空。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H₂O中至少一个的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

将在下述的本发明的具体实施方式中并结合下述附图详细描述本发明的这些和其他特征。

附图说明

本发明在随附附图中是以示例方式而不是以限制方式进行说明，其中相同的参考数字表示类似的元素，其中：

图1是本发明实施方式的流程图。

图2是包括本发明实施方式的系统的示意图。

图3是带有隔离站和暗盒(cassette)的大气传送模块的示意图。

图4是脱气室和相关部件的实施方式的示意图。

图5A-B是可用于实行本发明的计算机系统的示意图。

图6是脱气室和相关部件的另一实施方式的示意图。

图7是本发明另一实施方式的高级流程图。

图8A-C是根据本发明实施方式所示加工的晶片的横截面图。

图9是在加工室步骤和原位脱气步骤中加工晶片的更详细的流程图。

具体实施方式

现将参照随附附图说明的一些优选的实施方式详细描述本发明。在下述描述中，陈述了许多具体细节以便完全理解本发明。然而，对本领域技术人员显而易见的是，本发明在没有某些或全部的具体细节的前提下也可实施。在其他情况下，没有详细描述公知的加工步骤和/或结构以防止不必要地模糊本发明。

在半导体器件生产期间加工晶片时，作为加工结果，通常在晶片上留有卤素残留物。当含有该残留物的晶片返回大气中时，该残留物可与大气中的水分发生反应进而造成污染。该残留物引起的污染主要有三种类型：1)自我污染，2)交叉污染以及3)设备污染。

当晶片上的残留物与大气反应并且引起晶片本身的损坏时可导致自我污染。例如，晶片上的冷凝能导致晶体缺陷，掩膜侵蚀或形态塌陷。