[发明专利]去除卤素的方法和装置

权利要求书

1.用于从晶片上去除在该晶片加工期间累积的卤素物质的脱气站，所述脱气站包括：

脱气室，其能够生成和保持真空并且能安放所述晶片；

晶片支架，其用于将所述晶片保持在所述脱气室中；

压强传感器，其与所述脱气室联接，用以传感所述脱气室中的压强；

UV照射源，其用于当所述晶片在所述脱气室中时用UV照射处理所述晶片；

喷射器，其与所述脱气室联接，用于将包含氧气，H₂O或臭氧中的至少一种的气体喷射到所述脱气室中，使得所述气体流过容纳在所述脱气室中的所述晶片；

排气系统，其与所述脱气室联接，其中所述排气系统能排空所述脱气室以生成真空并且其中在将所述气体喷射到所述脱气室时，所述排气系统能够以实质上保存所述脱气室中真空的方式移出所述气体；

第一个晶片开口，其在所述脱气室中，用以从所述真空室接收所述晶片；以及

多个真空密封装置，其围绕所述第一个晶片开口使得所述脱气室在所述第一个晶片开口处联接所述真空室。

2.根据权利要求1所述的脱气站，所述UV照射源位于所述脱气室外部并且其中所述脱气室的至少一侧是来自所述UV照射源的UV照射穿过窗口进入脱气室到达所述晶片。

3.根据权利要求1所述的脱气站，其中所述UV照射源位于所述脱气室内部。

4.根据权利要求1所述的脱气站，其进一步包括：

隔离站，其中所述隔离站保存已在所述脱气室中脱气的多个晶片。

5.根据权利要求4所述的脱气站，其中所述隔离站包括排气系统，所述排气系统从所述隔离站抽出空气。

6.根据权利要求1所述的脱气站，其中所述UV照射源距离所述晶片支架不超过30cm。

7.根据权利要求1所述的脱气站，其中所述气体包括臭氧。

8.根据权利要求1所述的脱气站，其中所述气体包括氧气并且通过所述UV照射源提供的所述UV照射使得通过将所述UV照射应用到包含氧气的所述气体上而在所述脱气室中生成臭氧。

9.根据权利要求1所述的脱气站，其进一步包括第二个晶片开口，其在所述脱气室中用于将所述晶片转移到外界大气环境中。

10.根据权利要求9所述的脱气站，其进一步包括大气排气口，其能够将所述脱气室与大气压强通气以便将晶片转移到大气中。

11.一种方法，其包括：

给入口真空交换室提供晶片；

在所述入口真空交换室中生成真空；

将所述晶片从所述入口真空交换室传送到加工工具中；

在所述加工工具的加工室中加工所述晶片进而提供已加工晶片，其中所述加工在所述晶片上形成卤素残留物；

将所述已加工晶片转移到所述脱气室，其中在所述脱气室中保持真空；

在所述脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H2O中至少一种的气流处理所述已加工晶片；

停止所述气流；

停止所述UV照射；

将所述已加工晶片从所述脱气室中移出。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括在加工所述晶片之后以及将所述已加工晶片转移到所述脱气室之前，在所述加工室中对所述晶片进行脱气步骤。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述在所述加工室中对所述晶片进行脱气步骤包括：

提供含至少5％氧气的无卤气体；以及

从所述含至少5％氧气的气体中形成等离子体。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述脱气室中释放所述晶片，其中所述的进行脱气步骤和所述释放所述晶片同时发生。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述释放所述晶片包括在来自所述含至少5％氧气的气体的所述等离子体存在的情况下在所述加工室中抬升所述晶片。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述无卤气体进一步包括氮气，其中所述氮气流量在所述氧气流量的10％到20％之间。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述脱气步骤去除碳残留物。