[发明专利]针对电致发光显示器的缺陷发射体检测

权利要求书

1.一种检测电致发光(EL)显示器中的缺陷EL发射体的方法，该方法包括：

a)提供具有多个子像素的所述EL显示器，每个子像素包括驱动晶体管、读出晶体管和EL发射体，所述驱动晶体管具有与所述EL发射体的电极相连接并与所述读出晶体管的第一电极相连接的电极；

b)选择子像素；

c)切断流过选择的子像素中的所述驱动晶体管的电流；

d)利用电流源，提供流过选择的子像素中的所述EL发射体的选择的测试电流；

e)测量选择的子像素中的所述读出晶体管的第二电极处的电压，以提供表示选择的子像素中的所述EL发射体的特性的状态信号；以及

f)将选择的子像素的所述状态信号与至少两个相邻子像素的相应状态信号进行比较，以确定选择的子像素中的所述EL发射体是否有缺陷。

2.一种检测电致发光(EL)显示器中的缺陷EL发射体的方法，该方法包括：

a)提供具有多个子像素的所述EL显示器，每个子像素具有：EL发射体，其具有第一电极和第二电极；驱动晶体管，其具有第一电极、第二电极以及栅极，所述第二电极连接到所述EL发射体的所述第一电极；以及读出晶体管，其具有第一电极、第二电极和栅极，所述第一电极连接到所述驱动晶体管的所述第二电极；

b)提供与所述多个子像素中的每一个中的所述驱动晶体管的所述第一电极相关联的第一电压源；

c)提供与所述多个子像素中的每一个中的所述EL发射体的所述第二电极相连接的第二电压源；

d)提供与所述读出晶体管的所述第二电极相关联的电流源；

e)选择EL子像素及其相应的驱动晶体管、读出晶体管和EL发射体；

f)提供与选择的读出晶体管的所述第二电极相关联的电压测量电路；

g)切断流过选择的驱动晶体管的电流；

h)利用所述电流源，提供流过所述EL发射体的选择的测试电流；

i)利用所述电压测量电路来测量选择的读出晶体管的所述第二电极处的电压，以提供表示选择的EL发射体的特性的相应状态信号；

j)针对所述多个EL子像素中的各个其余EL子像素重复步骤e到i；

k)选择EL子像素；

l)针对选择的EL子像素选择子像素邻域，其中所述子像素邻域包括与选择的EL子像素相邻的至少两个子像素；

m)将选择的EL子像素的状态信号与选择的子像素邻域中的各个子像素的相应状态信号进行比较，以确定选择的EL发射体是否有缺陷；以及

n)针对所述多个EL子像素中的各个其余EL子像素重复步骤k到m，以检测所述EL显示器中的其他缺陷EL发射体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中步骤b包括提供第一开关，所述第一开关用于选择性地将所述第一电压源连接到所述多个子像素中的每一个中的所述驱动晶体管的所述第一电极，并且其中步骤g包括打开所述第一开关以切断流过选择的驱动晶体管的电流。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个子像素被分为一个或更多个子像素组，并且其中步骤e包括为所述一个或更多个子像素组中的每一个提供相应的第二开关，所述第二开关用于选择性地将所述电流源连接到各个子像素组中的所述多个子像素中的每一个中的所述读出晶体管的所述第二电极。

5.根据权利要求2所述的方法，其中各子像素邻域包括位于选择的EL子像素上方的子像素、位于选择的EL子像素下方的子像素、位于选择的EL子像素左侧的子像素和位于选择的EL子像素右侧的子像素。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述比较步骤包括：计算邻域中的子像素的相应状态信号的第一平均值，并确定选择的EL子像素的所述状态信号是否与所述第一平均值相差超过所述第一平均值的选择的第一百分比。

7.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括提供用于存储关于哪些EL发射体有缺陷的信息的缺陷图，并且其中所述缺陷图中的针对所述子像素邻域中的各个子像素的相应存储信息指示该子像素没有缺陷。

8.根据权利要求2所述的方法，其中选择的测试电流大于选择的阈值电流。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述EL显示器是有机发光二极管(OLED)显示器，每个EL子像素是OLED子像素，并且每个发射体是OLED发射体。