[发明专利]半导体装置、半导体安装体及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080042469.1 申请日: 2010-07-29
公开(公告)号: CN102549740A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 越智岳雄 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 安装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,

半导体元件具备形成有连接电极的第1主面、相当于上述第1主面的背面的第2主面和多个侧面,

电路基板具备形成有电极焊盘的第1主面、相当于上述第1主面的背面的第2主面和多个侧面,

上述半导体元件与上述电路基板在使各自的上述第1主面朝向相同的方向、使上述侧面配置为大致对置的状态下,将上述连接电极与上述电极焊盘连接;

上述半导体元件的上述第1主面和上述电路基板的上述第1主面被密封树脂覆盖。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

上述半导体元件的上述侧面的至少1个以上没有被上述密封树脂覆盖而露出。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

大致对置于上述半导体元件的两个以上的上述侧面而配置有多个上述电路基板。

4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

大致对置于上述电路基板的两个以上的上述侧面而配置有多个上述半导体元件。

5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

上述半导体元件在上述第2主面上形成有集成电路,上述集成电路与形成在上述第1主面上的上述连接电极通过贯通上述半导体元件的连接配线连接。

6.一种半导体安装体,其特征在于,

在外部电路基板上搭载有权利要求1~5中任一项所述的半导体装置;

形成在构成上述半导体装置的上述电路基板的上述第2主面上的外部电极与形成在上述外部电路基板的搭载有上述半导体装置的搭载面上的搭载电极端子连接。

7.如权利要求6所述的半导体安装体,其特征在于,

构成上述半导体装置的上述半导体元件向上述外部电路基板的侧方突出而配置。

8.如权利要求6所述的半导体安装体,其特征在于,

构成上述半导体装置的上述半导体元件的上述侧面或上述第2主面中的至少某一个面与散热机构接触。

9.如权利要求6所述的半导体安装体,其特征在于,

在构成上述半导体装置的上述半导体元件与上述外部电路基板之间形成有间隙。

10.如权利要求9所述的半导体安装体,其特征在于,

在上述半导体元件与上述外部电路基板之间的间隙中填充有底部填充物。

11.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

载置工序,将半导体元件与电路基板在使各自的第1主面朝向上方的状态下并列地载置到保持板上,上述半导体元件具备形成有连接电极的第1主面、相当于上述第1主面的背面的第2主面和多个侧面,上述电路基板具备形成有电极焊盘的第1主面、相当于上述第1主面的背面的第2主面和多个侧面;

连接工序,将上述连接电极与上述电极焊盘连接;

密封工序,将上述半导体元件和上述电路基板通过密封树脂覆盖;

保持板除去工序,将上述保持板除去。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在上述载置工序中,将以列状连续形成的多个上述半导体元件搭载到上述保持板上,在上述密封工序后将连接的上述半导体元件和上述电路基板分别切断,然后进行上述保持板除去工序。

13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在上述载置工序中,将以列状连续形成的多个上述半导体元件搭载到上述保持板上,在上述保持板除去工序后,将连接的上述半导体元件和上述电路基板分别切断。

14.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

在上述搭载工序中,将上述半导体元件和上述电路基板配置为,按照相邻的列相互成为点对称。

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