[发明专利]半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置有效
| 申请号: | 201080041801.2 | 申请日: | 2010-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN102598235A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 李洋洙;胁冈纱香;中山笃;卡尔·阿尔文·迪朗 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C09J7/00;C09J11/04;C09J163/00;H01L21/52 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 接合 用粘接剂 用粘接膜 芯片 安装 方法 装置 | ||
1.一种半导体接合用粘接剂,其特征在于,含有环氧树脂、无机填料及固化剂,其中,
所述无机填料在半导体接合用粘接剂中的含量为30~70重量%,且含有平均粒径低于0.1μm的填料A和平均粒径为0.1μm以上且低于1μm的填料B,
所述填料A相对于所述填料B的重量比为1/9~6/4。
2.根据权利要求1所述的半导体接合用粘接剂,其特征在于,
所述无机填料为球状二氧化硅。
3.一种半导体接合用粘接剂,其特征在于,含有环氧树脂、无机填料和固化剂,其中,
所述环氧树脂和所述无机填料的折射率之差为0.1以下。
4.根据权利要求3所述的半导体接合用粘接剂,其特征在于,
所述无机填料为选自由硅、钛、铝、钙、硼、镁及锆的氧化物及它们的复合物构成的组中的至少一种填料。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体接合用粘接剂,其特征在于,
所述无机填料利用偶联剂进行了表面处理。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的半导体接合用粘接剂,其特征在于,
所述固化剂为具有双环骨架的酸酐,且还含有在常温下为液态的咪唑化合物作为固化促进剂。
7.根据权利要求6所述的半导体接合用粘接剂,其特征在于,
所述具有双环骨架的酸酐为具有下述通式(a)所示的结构的化合物,
[化学式1]
通式(a)中,X表示单键或双键的连接基团,R1表示亚甲基或亚乙基,R2及R3表示氢原子、卤素基团、烷氧基或烃基。
8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的半导体接合用粘接剂,其特征在于,
还含有具有与环氧树脂反应的官能团的高分子化合物。
9.一种半导体接合用粘接膜,其特征在于,
具有由权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的半导体接合用粘接剂形成的粘接剂层和基材层。
10.一种半导体芯片的安装方法,其特征在于,所述方法使用具有由权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的半导体接合用粘接剂形成的粘接剂层和基材层的半导体接合用粘接膜,
具有以下工序:
工序1,贴合所述半导体接合用粘接膜的粘接剂层和在表面上形成有突起电极的晶片的突起电极形成面;
工序2,在固定于所述半导体接合用粘接膜的状态下将所述晶片从背面进行磨削;
工序3,从贴合在所述磨削后的晶片上的所述半导体接合用粘接膜上将基材膜剥离,得到附着有粘接剂层的晶片;
工序4,使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的晶片表面的切割线,沿着所述切割线切割附着有所述粘接剂层的晶片,单片化为附着有粘接剂层的半导体芯片;
工序5,使照相机自动识别附着有所述粘接剂层的半导体芯片的图案或位置显示以及基板或其它的半导体芯片的图案或位置显示来进行对位,再借助粘接剂层将附着有所述粘接剂层的半导体芯片粘接于所述基板或其它的半导体芯片,由此来安装半导体芯片。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片的安装方法,其特征在于,
在利用工序5安装了半导体芯片后,还具有通过加热使粘接剂层完全固化的工序6。
12.一种半导体装置,其特征在于,是使用权利要求10或11所述的半导体芯片的安装方法而制造的。
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